Abstract

Ultrashort-cavity, thin-film lasers from In1−xGaxAsyP1−y of five different compositions, including InP and In0.53Ga0.47As, have been made to lase between 0.83 and 1.59 μm. The multitude of lasing wavelengths observed had line-to-line separations of less than 10 nm. The lasers were pumped with 1-psec pulses from a mode-locked dye laser. An output pulse of 6-psec duration was measured at a wavelength of 1.16 μm.

© 1981 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
    [CrossRef]
  2. M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
    [CrossRef]
  3. T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
    [CrossRef]
  4. N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
    [CrossRef]
  5. P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
    [CrossRef]
  6. W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
    [CrossRef]
  7. C. B. Roxlo, M. M. Salour, Appl. Phys. Lett. 38, 738 (1981).
    [CrossRef]
  8. E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
    [CrossRef]
  9. H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
    [CrossRef]
  10. C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
    [CrossRef]
  11. L. A. Glasser, Electron. Lett. 14, 725 (1978).
    [CrossRef]
  12. P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
    [CrossRef]
  13. B. Phatak, G. Kelner, J. Electrochem. Soc. 126, 287 (1979).
    [CrossRef]
  14. B. I. Miller, J. H. McFee, J. Electrochem. Soc. 125, 1310 (1978).
    [CrossRef]
  15. E. P. Ippen, C. V. Shank, Appl. Phys. Lett. 27, 488 (1975).
    [CrossRef]

1981 (4)

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
[CrossRef]

C. B. Roxlo, M. M. Salour, Appl. Phys. Lett. 38, 738 (1981).
[CrossRef]

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

1980 (5)

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
[CrossRef]

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

1979 (2)

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

B. Phatak, G. Kelner, J. Electrochem. Soc. 126, 287 (1979).
[CrossRef]

1978 (3)

B. I. Miller, J. H. McFee, J. Electrochem. Soc. 125, 1310 (1978).
[CrossRef]

L. A. Glasser, Electron. Lett. 14, 725 (1978).
[CrossRef]

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

1975 (1)

E. P. Ippen, C. V. Shank, Appl. Phys. Lett. 27, 488 (1975).
[CrossRef]

Burrus, C. A.

J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

Campbell, J. C.

J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
[CrossRef]

Cao, W. L.

W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
[CrossRef]

Damen, T. C.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

Dapkus, P. D.

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

Dixon, R. W.

E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
[CrossRef]

Duguay, M. A.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

Dupuis, R. D.

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

Eilenberger, D. J.

E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
[CrossRef]

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

Glasser, L. A.

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

L. A. Glasser, Electron. Lett. 14, 725 (1978).
[CrossRef]

Hartman, R. L.

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

Haus, H. A.

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

Ho, P. T.

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

Holonyak, N.

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

Hsieh, J. J.

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

Inaba, H.

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

Ippen, E. P.

E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
[CrossRef]

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

E. P. Ippen, C. V. Shank, Appl. Phys. Lett. 27, 488 (1975).
[CrossRef]

Ito, H.

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

Kaminow, I. P.

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

Kelner, G.

B. Phatak, G. Kelner, J. Electrochem. Soc. 126, 287 (1979).
[CrossRef]

Kolbas, R. M.

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

Lee, C. H.

W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
[CrossRef]

Lin, C.

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

Liu, P. L.

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

Logan, R. A.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

McFee, J. H.

B. I. Miller, J. H. McFee, J. Electrochem. Soc. 125, 1310 (1978).
[CrossRef]

Miller, B. I.

B. I. Miller, J. H. McFee, J. Electrochem. Soc. 125, 1310 (1978).
[CrossRef]

Murata, S.

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

Phatak, B.

B. Phatak, G. Kelner, J. Electrochem. Soc. 126, 287 (1979).
[CrossRef]

Roxlo, C. B.

C. B. Roxlo, M. M. Salour, Appl. Phys. Lett. 38, 738 (1981).
[CrossRef]

Salour, M. M.

C. B. Roxlo, M. M. Salour, Appl. Phys. Lett. 38, 738 (1981).
[CrossRef]

Shah, J.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

Shank, C. V.

E. P. Ippen, C. V. Shank, Appl. Phys. Lett. 27, 488 (1975).
[CrossRef]

Stone, J.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
[CrossRef]

Vacher, A. M.

W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
[CrossRef]

Wiesenfeld, J. M.

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

Yokoyama, H.

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (7)

P. T. Ho, L. A. Glasser, E. P. Ippen, H. A. Haus, Appl. Phys. Lett. 33, 241 (1978).
[CrossRef]

W. L. Cao, A. M. Vacher, C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 38, 653 (1981).
[CrossRef]

C. B. Roxlo, M. M. Salour, Appl. Phys. Lett. 38, 738 (1981).
[CrossRef]

E. P. Ippen, D. J. Eilenberger, R. W. Dixon, Appl. Phys. Lett. 37, 267 (1980).
[CrossRef]

M. A. Duguay, T. C. Damen, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, C. A. Burrus, Appl. Phys. Lett. 37, 369 (1980).
[CrossRef]

T. C. Damen, M. A. Duguay, J. Shah, J. Stone, J. M. Wiesenfeld, R. A. Logan, Appl. Phys. Lett. 39, 142 (1981).
[CrossRef]

E. P. Ippen, C. V. Shank, Appl. Phys. Lett. 27, 488 (1975).
[CrossRef]

Electron. Lett. (3)

H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electron. Lett. 17, 738 (1979).
[CrossRef]

C. Lin, P. L. Liu, T. C. Damen, D. J. Eilenberger, R. L. Hartman, Electron. Lett. 16, 600 (1980).
[CrossRef]

L. A. Glasser, Electron. Lett. 14, 725 (1978).
[CrossRef]

IEEE J. Quantum Electron. (2)

P. L. Liu, C. Lin, I. P. Kaminow, J. J. Hsieh, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 671, (1981).
[CrossRef]

N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (1)

J. Stone, C. A. Burrus, J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 51, 3038 (1980).
[CrossRef]

J. Electrochem. Soc. (2)

B. Phatak, G. Kelner, J. Electrochem. Soc. 126, 287 (1979).
[CrossRef]

B. I. Miller, J. H. McFee, J. Electrochem. Soc. 125, 1310 (1978).
[CrossRef]

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (4)

Fig. 1
Fig. 1

Details of epitaxially grown In1−xGax-AsyP1−y structures from which laser films were obtained: (a)–(d) were grown by liquid-phase epitaxy and (e) was grown by molecular-beam epitaxy. InP film obtained in (a) was then etched to a thickness of less than 1 μm.

Fig. 2
Fig. 2

Photograph of a film laser taken with monochromatic light. Fringes show thickness variation between top of In-GaAsP film and upper dielectric mirror. The absence of fringes surrounding the sample shows that the dielectric mirrors are well aligned.

Fig. 3
Fig. 3

Lasing wavelengths that have been experimentally observed with the ultrashort-cavity film lasers of In1−xGax-AsyP1−y. Also shown are the measured photoluminescence spectra of these materials.

Fig. 4
Fig. 4

Cross-correlation trace of the laser output at 1.16 μm with the pump pulse at 0.615 μm for a film laser of In0.70Ga0.30As0.66P0.34.

Metrics