Abstract

In this work p-ZnO/n-GaN heterojunction diodes were directly formed on the Si substrate by a combination of cost-effective solgel spin-coating and thermal annealing treatment. Spin-coated n-ZnO films on InN/GaN/Si wafers were converted to p-type polarity after thermal treatment of proper annealing durations. X-ray diffraction (XRD) analysis reveals that InN-codoped ZnO films have grown as the standard hexagonal wurtzite structure with a preferential orientation in the (002) direction. The intensity of the (002) peak decreases for a further extended annealing duration, indicating the greater incorporation of dopants, also confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy and low-temperature photoluminescence. Hall and resistivity measurements validate that our p-type ZnO film has a high carrier concentration of 3.73×1017cm3, a high mobility of 210cm2/Vs, and a low resistivity of 0.079 Ωcm. As a result, the proposed p-ZnO/n-GaN heterojunction diode displays a well-behaving current rectification of a typical p-n junction, and the measured current versus voltage (I–V) characteristic is hence well described by the modified Shockley equation. The research on the fabrication of p-ZnO/n-GaN heterojunctions shown here generates useful advances in the production of cost-effective ZnO-based optoelectronic devices.

© 2014 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
    [CrossRef]
  2. F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011).
    [CrossRef]
  3. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
    [CrossRef]
  4. B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
    [CrossRef]
  5. Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
    [CrossRef]
  6. S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
    [CrossRef]
  7. N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
    [CrossRef]
  8. Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
    [CrossRef]
  9. K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
    [CrossRef]
  10. K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
    [CrossRef]
  11. H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
    [CrossRef]
  12. Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
    [CrossRef]
  13. M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
    [CrossRef]
  14. Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 89, 176103 (2006).
    [CrossRef]
  15. T. P. Rao and M. C. S. Kumar, J. Alloys Compd. 509, 8676 (2011).
    [CrossRef]
  16. J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
    [CrossRef]
  17. J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
    [CrossRef]
  18. S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
    [CrossRef]
  19. E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambridge University, 2006).
  20. F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
    [CrossRef]
  21. L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
    [CrossRef]
  22. Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
    [CrossRef]
  23. S. Nagar and S. Chakrabarti, J. Lumin. 137, 55 (2013).
    [CrossRef]
  24. L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
    [CrossRef]
  25. Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
    [CrossRef]

2013 (1)

S. Nagar and S. Chakrabarti, J. Lumin. 137, 55 (2013).
[CrossRef]

2012 (1)

L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
[CrossRef]

2011 (3)

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011).
[CrossRef]

T. P. Rao and M. C. S. Kumar, J. Alloys Compd. 509, 8676 (2011).
[CrossRef]

2010 (2)

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

2009 (3)

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

2008 (2)

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
[CrossRef]

2007 (1)

S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
[CrossRef]

2006 (6)

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 89, 176103 (2006).
[CrossRef]

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

2005 (2)

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

2004 (1)

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

2003 (1)

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

1999 (1)

M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
[CrossRef]

Balakrishnan, L.

L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
[CrossRef]

Balasubramanian, T.

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

Bang, K. H.

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Basak, D.

M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
[CrossRef]

S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
[CrossRef]

Bhuvana, K. P.

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

Bian, J. M.

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

Cantwell, G.

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

Cao, Y.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

Chakrabarti, S.

S. Nagar and S. Chakrabarti, J. Lumin. 137, 55 (2013).
[CrossRef]

Chen, C. H.

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

Chen, J. Y.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Chen, L. D.

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

Chen, Y. F.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Claflin, B.

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

Dutta, M.

M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
[CrossRef]

Elanchezhiyan, J.

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

Fan, D.

Fan, X. W.

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Gao, J.

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Gao, L. L.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Gao, X. D.

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

Gopalakrishnan, N.

L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
[CrossRef]

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

Gowrishankar, S.

L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
[CrossRef]

Hayashi, Y.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

He, H. P.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

Hong, L. S.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Hua, Z.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Huang, C. Y.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Huang, J. Y.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Huang, X. M.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Hwang, D. K.

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Jeong, M. C.

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Ji, Z. G.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Joseph, M.

M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
[CrossRef]

Kawai, T.

M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
[CrossRef]

Kumar, M. C. S.

T. P. Rao and M. C. S. Kumar, J. Alloys Compd. 509, 8676 (2011).
[CrossRef]

Kuno, Y.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

Kuo, H. C.

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

Lee, C. J.

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

Lee, Y. J.

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

Li, B. H.

F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Li, L.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Li, X. M.

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

Liang, H. W.

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Liu, C. S.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Liu, J. L.

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

Liu, W. W.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Liu, Y. C.

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Look, D. C.

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

Lu, J. G.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Lu, T. C.

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

Lu, Y. M.

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Ma, D. W.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Mandalapu, L. J.

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

Miao, L.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

Mridha, S.

S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
[CrossRef]

Myoung, J. M.

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Nagar, S.

S. Nagar and S. Chakrabarti, J. Lumin. 137, 55 (2013).
[CrossRef]

Pan, H. L.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Park, S. J.

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

Rao, T. P.

T. P. Rao and M. C. S. Kumar, J. Alloys Compd. 509, 8676 (2011).
[CrossRef]

Schubert, E. F.

E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambridge University, 2006).

Shan, C. X.

F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Shen, D. Z.

F. Sun, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, and D. Fan, Opt. Lett. 36, 499 (2011).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Shen, Y.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Shin, B. C.

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

Sohn, K. S.

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Sui, Y. R.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Sun, F.

Sun, J.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Sun, Y.

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Tabata, H.

M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
[CrossRef]

Tanemura, M.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

Tanemura, S.

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

Wan, Q.

Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 89, 176103 (2006).
[CrossRef]

Wang, C. H.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Wang, F. Z.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Wang, L.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

Wang, S. P.

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Wu, C. Y.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Wu, J.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Wu, T.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Xiao, Z. Y.

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

Xing, G. Z.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Xiu, F. X.

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

Xu, Y.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Yan, J. F.

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Yang, T.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Yang, Y. J.

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Yang, Z.

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

Yao, B.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Ye, Z. Z.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Ying, Z.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Yu, D.

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Yu, N.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Yu, W. D.

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

Zhan, Z. Z.

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Zhang, J. Y.

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Zhang, S. B.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Zhang, T.

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Zhang, X.

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Zhang, Y. Z.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

Zhang, Z. Y.

Zhang, Z. Z.

Zhao, B. H.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

Zhao, D. T.

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

Zhao, D. X.

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

Zhao, Q.

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Zhao, T. T.

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

Zhu, L. P.

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Zhuge, F.

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (7)

Y. Cao, L. Miao, S. Tanemura, M. Tanemura, Y. Kuno, and Y. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 251116 (2006).
[CrossRef]

M. Dutta and D. Basak, Appl. Phys. Lett. 92, 212112 (2008).
[CrossRef]

Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 89, 176103 (2006).
[CrossRef]

J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, and L. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004).
[CrossRef]

F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
[CrossRef]

L. J. Mandalapu, F. X. Xiu, Z. Yang, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 112108 (2006).
[CrossRef]

C. Y. Huang, Y. J. Yang, J. Y. Chen, C. H. Wang, Y. F. Chen, L. S. Hong, C. S. Liu, and C. Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 97, 013503 (2010).
[CrossRef]

Appl. Surf. Sci. (1)

Y. Z. Zhang, J. G. Lu, Z. Z. Ye, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, and L. Wang, Appl. Surf. Sci. 254, 1993 (2008).
[CrossRef]

Ceram. Int. (1)

L. Balakrishnan, S. Gowrishankar, and N. Gopalakrishnan, Ceram. Int. 38, 6221 (2012).
[CrossRef]

IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. (1)

Y. J. Lee, C. J. Lee, C. H. Chen, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 985 (2011).
[CrossRef]

J. Alloys Compd. (2)

K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin, and T. Balasubramanian, J. Alloys Compd. 478, 54 (2009).
[CrossRef]

T. P. Rao and M. C. S. Kumar, J. Alloys Compd. 509, 8676 (2011).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (1)

S. Mridha and D. Basak, J. Appl. Phys. 101, 083102 (2007).
[CrossRef]

J. Cryst. Growth. (2)

B. Claflin, D. C. Look, S. J. Park, and G. Cantwell, J. Cryst. Growth. 287, 16 (2006).
[CrossRef]

S. P. Wang, C. X. Shan, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth. 311, 3577 (2009).
[CrossRef]

J. Lumin. (1)

S. Nagar and S. Chakrabarti, J. Lumin. 137, 55 (2013).
[CrossRef]

J. Phys. D (1)

Y. R. Sui, B. Yao, Z. Hua, G. Z. Xing, X. M. Huang, T. Yang, L. L. Gao, T. T. Zhao, H. L. Pan, W. W. Liu, and T. Wu, J. Phys. D 42, 065101 (2009).
[CrossRef]

J. Vac. Sci. Technol. A (1)

N. Yu, Y. Xu, L. Li, Y. Shen, T. Zhang, J. Wu, J. Sun, and Z. Ying, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 690 (2006).
[CrossRef]

Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 (1)

M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys. Lett. Part 2 38, L1205 (1999).
[CrossRef]

Nanotechnology (1)

J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010).
[CrossRef]

Opt. Lett. (1)

Phys. Status Solidi A (1)

H. W. Liang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Y. C. Liu, J. F. Yan, C. X. Shan, B. H. Li, Z. Z. Zhan, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Phys. Status Solidi A 202, 1060 (2005).
[CrossRef]

Semicond. Sci. Technol. (1)

Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Semicond. Sci. Technol. 21, 1522 (2006).
[CrossRef]

Solid State Commun. (1)

K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Jeong, K. S. Sohn, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 126, 623 (2003).
[CrossRef]

Other (1)

E. F. Schubert, Light-Emitting Diodes (Cambridge University, 2006).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (5)

Fig. 1.
Fig. 1.

Schematic diagram for the fabrication process of InN-codoped ZnO.

Fig. 2.
Fig. 2.

XRD spectra of as-grown ZnO films, annealed with and without InN/GaN/Si substrate for various annealing durations at 600°C.

Fig. 3.
Fig. 3.

X-ray photoelectron spectra of InN-codoped ZnO films: (a) In-3d and (b) N-1s core levels.

Fig. 4.
Fig. 4.

Low-temperature (10 K) PL spectra of InN-codoped ZnO with various annealing durations at 600°C.

Fig. 5.
Fig. 5.

(a) I–V characteristics of our p - ZnO / n - GaN heterojunction diode. (b) Fitting curve by using the modified Shockley equation.

Tables (1)

Tables Icon

Table 1. Electrical Properties of As-Grown ZnO Films, Annealed with InN/GaN/Si Substrate for Different Annealing Durations

Equations (1)

Equations on this page are rendered with MathJax. Learn more.

I ( V I R s ) R sh = I o e q ( V I R s ) / ( n ideal k T ) ,

Metrics