Abstract

The phenomenon of efficiency droop in blue InGaN light-emitting diodes (LEDs) is studied numerically. Simulation results indicate that the severe Auger recombination is one critical mechanism corresponding to the degraded efficiency under high current injection. To solve this issue, LED structure with thin AlGaN barriers and without the use of an AlGaN EBL is proposed. The purpose of the strain-compensation AlGaN barriers is to mitigate the strain accumulation in a multiquantum well (MQW) active region in this thin-barrier structure. With the proposed LED structure, the hole injection and transportation of the MQW active region are largely improved. The carriers can thus distribute/disperse much more uniformly in QWs, and the Auger recombination is suppressed accordingly. The internal quantum efficiency and the efficiency droop are therefore efficiently improved.

© 2014 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
    [CrossRef]
  2. M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
    [CrossRef]
  3. Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Opt. Lett. 35, 3285 (2010).
    [CrossRef]
  4. A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
    [CrossRef]
  5. J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
    [CrossRef]
  6. J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
    [CrossRef]
  7. Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
    [CrossRef]
  8. M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
    [CrossRef]
  9. M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
    [CrossRef]
  10. APSYS by Crosslight Software Inc., Burnaby, Canada, http://www.crosslight.com .
  11. J. Piprek and Z. M. Simon Li, Appl. Phys. Lett. 102, 023510 (2013).
    [CrossRef]
  12. J.-Y. Chang, F.-M. Chen, Y.-K. Kuo, Y.-H. Shih, J.-K. Sheu, W.-C. Lai, and H. Liu, Opt. Lett. 38, 3158 (2013).
    [CrossRef]
  13. S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
    [CrossRef]
  14. D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
    [CrossRef]
  15. Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
    [CrossRef]
  16. Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
    [CrossRef]

2013

2012

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

2010

2009

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

2008

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

2007

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Bhattacharya, P.

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

Chang, J.-Y.

Chen, F.-M.

Cho, C.-Y.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Dai, Q.

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

David, A.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Dupuis, R. D.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Gardner, N. F.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Grundmann, M. J.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Hader, J.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Hahn, B.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Han, J.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Han, S.-H.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Hinckley, J.

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

Hsu, T.-C.

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

Kaeding, J. F.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Kim, D.-J.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Kim, J. K.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Kim, M. H.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Kim, S.-T.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

Kim, Y. C.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Kim, Y. S.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

Koch, S. W.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Krames, M. R.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Kuo, Y.-K.

J.-Y. Chang, F.-M. Chen, Y.-K. Kuo, Y.-H. Shih, J.-K. Sheu, W.-C. Lai, and H. Liu, Opt. Lett. 38, 3158 (2013).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Opt. Lett. 35, 3285 (2010).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

Kwon, M.-K.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Lai, W.-C.

Lee, D.-J.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

Lee, D.-Y.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Lee, J. W.

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

Lee, S. M.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

Lee, S. P.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Lee, S.-J.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Linder, N.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Liu, H.

Liu, J. P.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Lutgen, S.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Meneghesso, G.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Meneghini, M.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Mihopoulos, T. G.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

Moloney, J. V.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Müller, G. O.

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Munkholm, A.

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Noh, D. Y.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Park, S.-J.

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

Park, Y.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Pasenow, B.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Piprek, J.

J. Piprek and Z. M. Simon Li, Appl. Phys. Lett. 102, 023510 (2013).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Ryou, J.-H.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Sabathil, M.

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Sakong, T.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

Schubert, E. F.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Schubert, M. F.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

Shen, G. D.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Shen, Y. C.

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Shen, Y.-J.

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

Sheu, J.-K.

Shih, Y.-H.

Simon Li, Z. M.

J. Piprek and Z. M. Simon Li, Appl. Phys. Lett. 102, 023510 (2013).
[CrossRef]

Singh, J.

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

Sone, C.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

Trivellin, N.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Tsai, M.-C.

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Opt. Lett. 35, 3285 (2010).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Wang, H. B.

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

Watanabe, S.

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

Xu, J.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

Yen, S.-H.

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Opt. Lett. 35, 3285 (2010).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

Yoon, S.

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

Zanoni, E.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Zehnder, U.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Zhang, M.

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett.

A. David, M. J. Grundmann, J. F. Kaeding, N. F. Gardner, T. G. Mihopoulos, M. R. Krames, T. G. Mihopoulos, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 92, 053502 (2008).
[CrossRef]

J. P. Liu, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, J. Han, G. D. Shen, and H. B. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 021102 (2008).
[CrossRef]

J. Hader, J. V. Moloney, B. Pasenow, S. W. Koch, M. Sabathil, N. Linder, and S. Lutgen, Appl. Phys. Lett. 92, 261103 (2008).
[CrossRef]

Y. C. Shen, G. O. Müller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
[CrossRef]

M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007).
[CrossRef]

M. F. Schubert, J. Xu, J. K. Kim, E. F. Schubert, M. H. Kim, S. Yoon, S. M. Lee, C. Sone, T. Sakong, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 93, 041102 (2008).
[CrossRef]

M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
[CrossRef]

S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 94, 231123 (2009).
[CrossRef]

D.-Y. Lee, S.-H. Han, D.-J. Lee, J. W. Lee, D.-J. Kim, Y. S. Kim, and S.-T. Kim, Appl. Phys. Lett. 100, 041119 (2012).
[CrossRef]

Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai, and S.-H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

J. Piprek and Z. M. Simon Li, Appl. Phys. Lett. 102, 023510 (2013).
[CrossRef]

IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.

Y.-K. Kuo, M.-C. Tsai, S.-H. Yen, T.-C. Hsu, and Y.-J. Shen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1115 (2009).
[CrossRef]

J. Appl. Phys.

M. Meneghini, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, U. Zehnder, and B. Hahn, J. Appl. Phys. 106, 114508 (2009).
[CrossRef]

Opt. Lett.

Other

APSYS by Crosslight Software Inc., Burnaby, Canada, http://www.crosslight.com .

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (7)

Fig. 1.
Fig. 1.

(a) Energy band diagram, (b) carrier concentrations, and (c) recombination rates near the active region of the original LED at 100A/cm2. Inset of (c), enlarged plot of last QW. The gray areas represent the location of QWs. (d) IQE-I–V characteristics of the original LED.

Fig. 2.
Fig. 2.

(a), (b) Carrier concentrations and (c), (d) recombination rates of the blue LED with 6 and 3 nm thick barriers at 100A/cm2.

Fig. 3.
Fig. 3.

(a) Energy band diagram, (b) carrier concentrations, (c) recombination rates, and (d) electron current density near the active region of the blue LED with 3 nm thick Al0.1Ga0.9N barriers and without the use of an AlGaN EBL at 100A/cm2.

Fig. 4.
Fig. 4.

(a) Carrier concentrations and (b) recombination rates of the blue LED with increased 12 pairs MQWs, 3 nm thick Al0.1Ga0.9N barriers, and without the use of an AlGaN EBL at 100A/cm2.

Fig. 5.
Fig. 5.

(a) IQE and (b) power efficiency of the original LED structure and the proposed structures with six- and 12-pairs MQWs.

Fig. 6.
Fig. 6.

(a) (b) Energy band diagram and (c) (d) carrier concentrations of the blue LED with In0.05Ga0.95N and In0.1Ga0.9N barriers at 100A/cm2.

Fig. 7.
Fig. 7.

IQE characteristics of the original LED structure and the proposed structures with six- and 12-pairs MQWs under an Auger coefficient of (a) 0.5×1030 and (b) 5.0×1030cm6/s.

Metrics