Abstract

In this Letter, the effect of F4-TCNQ insertion at the anode/hole transport layer (HTL) interface was studied on joule heating and the lifetime of organic light-emitting diodes (OLEDs). Joule heating was found to reduce significantly (pixel temperature decrease by about 10 K at a current density of 40mA/cm2) by this insertion. However, the lifetime was found to reduce significantly with a 1 nm thick F4-TCNQ layer, and it improved by increasing the thickness of this layer. Thermal diffusion of F4-TCNQ into HTL leads to F4-TCNQ ionization by charge transfer, and drift of these molecules into the emissive layer caused faster degradation of the OLEDs. This drift was found to reduce with an increase in the thickness of F4-TCNQ.

© 2013 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
    [CrossRef]
  2. S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
    [CrossRef]
  3. K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
    [CrossRef]
  4. J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
    [CrossRef]
  5. S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
    [CrossRef]
  6. C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
    [CrossRef]
  7. B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
    [CrossRef]
  8. X. Qi and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 110, 124516 (2011).
    [CrossRef]
  9. K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
    [CrossRef]
  10. M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
    [CrossRef]
  11. L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
    [CrossRef]
  12. K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
    [CrossRef]
  13. L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
    [CrossRef]
  14. Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
    [CrossRef]
  15. H. Tsuji and Y. Furukawa, Chem. Phys. Lett. 488, 206 (2010).
    [CrossRef]
  16. H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
    [CrossRef]
  17. B. Grifith, D. Turler, and H. Goudey, in Encyclopedia of Imaging Science and Technology (Wiley, 2001), Chap. 8.
  18. P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).
  19. G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
    [CrossRef]
  20. R. Oven, J. Appl. Phys. 101, 113113 (2007).
    [CrossRef]
  21. S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
    [CrossRef]

2012 (1)

S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
[CrossRef]

2011 (5)

J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
[CrossRef]

X. Qi and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 110, 124516 (2011).
[CrossRef]

L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
[CrossRef]

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
[CrossRef]

2010 (4)

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

H. Tsuji and Y. Furukawa, Chem. Phys. Lett. 488, 206 (2010).
[CrossRef]

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
[CrossRef]

2009 (2)

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

2007 (4)

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

R. Oven, J. Appl. Phys. 101, 113113 (2007).
[CrossRef]

2004 (1)

B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
[CrossRef]

2001 (1)

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

2000 (1)

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

1997 (1)

L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
[CrossRef]

Broker, B.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Bryce, M. R.

K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
[CrossRef]

Chen, Q.

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

Chung, S.

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

Cosimbescu, L.

L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
[CrossRef]

D’Andrade, B. W.

B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
[CrossRef]

Ding, X. M.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Dong, M. S.

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Fehse, K.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Forrest, S. R.

X. Qi and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 110, 124516 (2011).
[CrossRef]

B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
[CrossRef]

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

Furukawa, Y.

H. Tsuji and Y. Furukawa, Chem. Phys. Lett. 488, 206 (2010).
[CrossRef]

Garditz, C.

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

Gaspar, D. J.

L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
[CrossRef]

Glowatzki, H.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Goudey, H.

B. Grifith, D. Turler, and H. Goudey, in Encyclopedia of Imaging Science and Technology (Wiley, 2001), Chap. 8.

Grifith, B.

B. Grifith, D. Turler, and H. Goudey, in Encyclopedia of Imaging Science and Technology (Wiley, 2001), Chap. 8.

Grover, R.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Ham, H.

H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
[CrossRef]

He, J.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

He, X. Q.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Holmes, R. J.

B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
[CrossRef]

Hong, Y.

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

Hou, Y. X.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Hua, Y. L.

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Hung, L. S.

L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
[CrossRef]

Jeong, J.

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

Johnson, R. L.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Kahn, A.

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

Kamalasanan, M. N.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Kamtekar, K. T.

K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
[CrossRef]

Kim, J. J.

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

Kim, Y.

H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
[CrossRef]

Koch, N.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Kumar, A.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Lee, J. H.

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

Lee, S. T.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Leo, K.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

Liao, L. S.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Lindner, F.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Liu, S.

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

Lu, M.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Luo, X.

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

Lussem, B.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Maenning, B.

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

Mason, M. G.

L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
[CrossRef]

Monkman, A. P.

K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
[CrossRef]

Olthof, S.

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

Oven, R.

R. Oven, J. Appl. Phys. 101, 113113 (2007).
[CrossRef]

Padmaperuma, A. B.

L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
[CrossRef]

Paetzold, R.

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

Park, J. W.

J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
[CrossRef]

H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
[CrossRef]

Park, S. H.

J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
[CrossRef]

Parthasarathy, G.

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

Pfeiffer, M.

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

Qi, Q. J.

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Qi, X.

X. Qi and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 110, 124516 (2011).
[CrossRef]

Rai, V. K.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Reineke, S.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Schindler, F.

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

Schwartz, G.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Seidler, N.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Shen, C.

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

Shen, D. C.

J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
[CrossRef]

Srivastava, R.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Sviridov, S. I.

S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
[CrossRef]

Tang, C. W.

L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
[CrossRef]

Tsuji, H.

H. Tsuji and Y. Furukawa, Chem. Phys. Lett. 488, 206 (2010).
[CrossRef]

Turler, D.

B. Grifith, D. Turler, and H. Goudey, in Encyclopedia of Imaging Science and Technology (Wiley, 2001), Chap. 8.

Tyagi, P.

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Tyurinina, T. G.

S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
[CrossRef]

Tyurinina, Z. G.

S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
[CrossRef]

Walzer, K.

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

Winnacker, A.

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

Wu, X. M.

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Yin, S. G.

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Zhang, X. M.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Zhou, B. X.

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Zhou, S.

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

Adv. Mater. (3)

B. W. D’Andrade, R. J. Holmes, and S. R. Forrest, Adv. Mater. 16, 624 (2004).
[CrossRef]

K. T. Kamtekar, A. P. Monkman, and M. R. Bryce, Adv. Mater. 22, 572 (2010).
[CrossRef]

B. X. Zhou, J. He, L. S. Liao, M. Lu, X. M. Ding, Y. X. Hou, X. M. Zhang, X. Q. He, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 265 (2000).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (3)

S. Chung, J. H. Lee, J. Jeong, J. J. Kim, and Y. Hong, Appl. Phys. Lett. 94, 253302 (2009).
[CrossRef]

C. Garditz, A. Winnacker, F. Schindler, and R. Paetzold, Appl. Phys. Lett. 90, 103506 (2007).
[CrossRef]

L. S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
[CrossRef]

Chem. Phys. Lett. (1)

H. Tsuji and Y. Furukawa, Chem. Phys. Lett. 488, 206 (2010).
[CrossRef]

Chem. Rev. (1)

K. Walzer, B. Maenning, M. Pfeiffer, and K. Leo, Chem. Rev. 107, 1233 (2007).
[CrossRef]

Chin. Phys. Lett. (1)

M. S. Dong, X. M. Wu, Y. L. Hua, Q. J. Qi, and S. G. Yin, Chin. Phys. Lett. 27, 127802 (2010).
[CrossRef]

Glass Phys. Chem. (1)

S. I. Sviridov, Z. G. Tyurinina, and T. G. Tyurinina, Glass Phys. Chem. 38, 206 (2012).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (4)

G. Parthasarathy, C. Shen, A. Kahn, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 89, 4986 (2001).
[CrossRef]

R. Oven, J. Appl. Phys. 101, 113113 (2007).
[CrossRef]

K. Fehse, S. Olthof, K. Walzer, K. Leo, R. L. Johnson, H. Glowatzki, B. Broker, and N. Koch, J. Appl. Phys. 102, 073719 (2007).
[CrossRef]

X. Qi and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 110, 124516 (2011).
[CrossRef]

J. Phys. Chem. A (1)

L. Cosimbescu, A. B. Padmaperuma, and D. J. Gaspar, J. Phys. Chem. A 115, 13498 (2011).
[CrossRef]

Nature (1)

S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lussem, and K. Leo, Nature 459, 234 (2009).
[CrossRef]

Org. Electron. (1)

H. Ham, J. W. Park, and Y. Kim, Org. Electron. 12, 2174 (2011).
[CrossRef]

Rev. Sci. Instrum. (1)

Q. Chen, X. Luo, S. Zhou, and S. Liu, Rev. Sci. Instrum. 82, 084904 (2011).
[CrossRef]

Semicond. Sci. Technol. (1)

J. W. Park, D. C. Shen, and S. H. Park, Semicond. Sci. Technol. 26, 034002 (2011).
[CrossRef]

Syn. Met. (1)

P. Tyagi, R. Srivastava, A. Kumar, V. K. Rai, R. Grover, and M. N. Kamalasanan, Syn. Met. 160, 756 (2010).

Other (1)

B. Grifith, D. Turler, and H. Goudey, in Encyclopedia of Imaging Science and Technology (Wiley, 2001), Chap. 8.

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (6)

Fig. 1.
Fig. 1.

Energy level diagram of OLEDs with F4-TCNQ interface layer.

Fig. 2.
Fig. 2.

IR thermographic images of devices 1, 2, 3, and 4 at a current density of 40mA/cm2. Each image has a different scale to get the best temperature resolution.

Fig. 3.
Fig. 3.

(a) Temperature rise, (b) luminescence, and (c) operating voltage as a function of operational time. Inset in (a) shows the differential increase of temperature with time for different thicknesses of F4-TCNQ.

Fig. 4.
Fig. 4.

Optical images of the devices at different operational times captured from the ITO side of the device.

Fig. 5.
Fig. 5.

Thermal and field-assisted diffusion depths for devices 2, 3, and 4 measured by SIMS. The box with dark color represents the thermal diffusion length, and the box with light color represents the field-assisted diffusion length.

Fig. 6.
Fig. 6.

AFM images of the F4-TCNQ layer with (a) 1 nm, (b) 2.5 nm, and (c) 5.5 nm thicknesses.

Metrics