Abstract

The a-SiNx:H with a large bandgap of 3.8 eV was utilized to decorate ZnO nanowires. The UV emission from the a-SiNx:H-decorated ZnO nanowires are greatly enhanced compared with the undecorated ZnO nanowire. The deep-level defect emission has been completely suppressed even though the sample was annealed at temperatures up to 400 °C. The incorporation of H and N is suggested to passivate the defect states at the nanowire surface and thus result in the flat-band effect near ZnO surface as well as reduction of the nonradiative recombination probability.

© 2012 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
    [CrossRef]
  2. Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
    [CrossRef]
  3. S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
    [CrossRef]
  4. B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
    [CrossRef]
  5. H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
    [CrossRef]
  6. M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
    [CrossRef]
  7. J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
    [CrossRef]
  8. C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
    [CrossRef]
  9. K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
    [CrossRef]
  10. C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
    [CrossRef]
  11. L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
    [CrossRef]
  12. C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
    [CrossRef]
  13. X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
    [CrossRef]
  14. A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
    [CrossRef]
  15. P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
    [CrossRef]
  16. T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
    [CrossRef]
  17. J. Tauc, Amorphous and Liquid Semiconductors (Springer, 1974).
  18. K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
    [CrossRef]
  19. J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
    [CrossRef]
  20. F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
    [CrossRef]

2011 (3)

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

2010 (2)

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

2009 (3)

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
[CrossRef]

2008 (2)

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

2007 (2)

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

2005 (1)

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

2004 (1)

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

2002 (2)

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
[CrossRef]

2001 (1)

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

1997 (1)

F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
[CrossRef]

1996 (1)

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Cen, M. J.

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

Chan, W. K.

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Chan, Y. F.

B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
[CrossRef]

Cheah, K. W.

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Chen, C. Y.

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

Chen, H.-P.

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

Chen, R.

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

Chen, S.-Y.

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

Chernyak, L.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Choi, H.-J.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Choy, W. C. H.

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Chu, S.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Djurišic, A. B.

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Feick, H.

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Gai, Y.

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

Giorgis, F.

F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
[CrossRef]

Gutowski, J.

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

Hark, S.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

He, J. H.

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

He, R.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Huang, M. H.

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Johnson, J.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Jokela, S. J.

M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
[CrossRef]

Khedoe, R.

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Kim, D. S.

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

Kind, H.

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Koenderink, A. F.

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Kong, J.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Kuo, C.-L.

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

Kuo, T.-J.

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

Leung, Y. H.

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Li, H.-Y.

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Li, J.

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

Li, L.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Li, Q.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Li, X. H.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Liao, H.-C.

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

Lin, C. A.

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

Lin, C.-C.

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

Lin, C.-N.

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

Lin, G. R.

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

Lin, Y.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Liu, C. Y.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Liu, J.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Liu, K. W.

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

Liu, Y.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Liu, Y. C.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Ma, J. G.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Mao, S.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

McCluskey, M. D.

M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
[CrossRef]

Meng, X.

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

Morris, N.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Mu, R.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Peng, H.

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

Peng, L.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Pham, J.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Pirri, C. F.

F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
[CrossRef]

Ren, J.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Richters, J.-P.

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

Ruckmann, I.

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

Ruhle, S.

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Russo, R.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Saykally, R.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Scholz, R.

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

Seager, C. H.

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Shi, L.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Sun, H. D.

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

Tallant, D. R.

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Tauc, J.

J. Tauc, Amorphous and Liquid Semiconductors (Springer, 1974).

Tresso, E.

F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
[CrossRef]

Vanheusden, K.

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Vanmaekelbergh, D.

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Voigt, J. A.

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Voss, T.

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

Wang, G.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Wang, N.

B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
[CrossRef]

Wang, S.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Wang, W.

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

Wang, Z. L.

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

Warren, W. L.

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

Weber, E.

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Wischmeier, L.

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

Wong, K.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Wu, T.

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

Wu, Y.

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Xing, G. Z.

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

Xu, H. Y.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Xu, S.

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

Xu, Y.

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

Yan, H.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Yang, P.

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Yang, Q.

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

Yao, B. D.

B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
[CrossRef]

Zacharias, M.

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

Zhang, X. T.

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

Zhao, J.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Zhou, W.

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Adv. Funct. Mater. (1)

P. Yang, H. Yan, S. Mao, R. Russo, J. Johnson, R. Saykally, N. Morris, J. Pham, R. He, and H.-J. Choi, Adv. Funct. Mater. 12, 323 (2002).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (7)

K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
[CrossRef]

K. W. Liu, R. Chen, G. Z. Xing, T. Wu, and H. D. Sun, Appl. Phys. Lett. 96, 023111 (2010).
[CrossRef]

C. Y. Liu, H. Y. Xu, J. G. Ma, X. H. Li, X. T. Zhang, Y. C. Liu, and R. Mu, Appl. Phys. Lett. 99, 063115 (2011).
[CrossRef]

C.-C. Lin, H.-P. Chen, H.-C. Liao, and S.-Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 86, 183103 (2005).
[CrossRef]

B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
[CrossRef]

J.-P. Richters, T. Voss, L. Wischmeier, I. Rűckmann, and J. Gutowski, Appl. Phys. Lett. 92, 011103 (2008).
[CrossRef]

A. B. Djurišić, Y. H. Leung, W. C. H. Choy, K. W. Cheah, and W. K. Chan, Appl. Phys. Lett. 84, 2635 (2004).
[CrossRef]

Chem. Mater. (1)

T.-J. Kuo, C.-N. Lin, C.-L. Kuo, and M. H. Huang, Chem. Mater. 19, 5143 (2007).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (1)

M. D. McCluskey and S. J. Jokela, J. Appl. Phys. 106, 071101 (2009).
[CrossRef]

J. Phys. Chem. C (1)

X. Meng, H. Peng, Y. Gai, and J. Li, J. Phys. Chem. C 114, 1467 (2010).
[CrossRef]

Nano Lett. (3)

L. Shi, Y. Xu, S. Hark, Y. Liu, S. Wang, L. Peng, K. Wong, and Q. Li, Nano Lett. 7, 3559 (2007).
[CrossRef]

H.-Y. Li, S. Ruhle, R. Khedoe, A. F. Koenderink, and D. Vanmaekelbergh, Nano Lett. 9, 3515 (2009).
[CrossRef]

Q. Yang, W. Wang, S. Xu, and Z. L. Wang, Nano Lett. 11, 4012 (2011).
[CrossRef]

Nanotechnology (2)

C. Y. Chen, C. A. Lin, M. J. Cen, G. R. Lin, and J. H. He, Nanotechnology 20, 185605 (2009).
[CrossRef]

J.-P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, and M. Zacharias, Nanotechnology 19, 305202 (2008).
[CrossRef]

Nat. Nanotechnol. (1)

S. Chu, G. Wang, W. Zhou, Y. Lin, L. Chernyak, J. Zhao, J. Kong, L. Li, J. Ren, and J. Liu, Nat. Nanotechnol. 6, 506 (2011).
[CrossRef]

Science (1)

M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
[CrossRef]

Thin Solid Films (1)

F. Giorgis, C. F. Pirri, and E. Tresso, Thin Solid Films 307, 298 (1997).
[CrossRef]

Other (1)

J. Tauc, Amorphous and Liquid Semiconductors (Springer, 1974).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (4)

Fig. 1.
Fig. 1.

(a) SEM, (b) TEM, (c) HRTEM image of ZnO-core/a-SiNx:H-shell nanowires.

Fig. 2.
Fig. 2.

The room-temperature PL spectra obtained from the ZnO nanowires with and without a-SiNx:H coating: (a) as-synthesized ZnO nanowires and ZnO nanowires coated with (b)6-nm-thick and (c) 12 nm-thick a-SiNx:H.

Fig. 3.
Fig. 3.

The PL spectra of the ZnO-core/6-nm-thick a-SiNx:H-shell nanowires after annealing at 400 °C, 500 °C, and 600 °C for 30 min in an N2 atmosphere, respectively. Insets show the green emission for the corresponding samples.

Fig. 4.
Fig. 4.

(a) FTIR spectra of the a-SiNx:H films with and without thermal annealing, respectively. The absorption band at 850cm1 is connected with Si–N stretching mode. The 2140cm1 band and 3350cm1 band are assigned to Si–H and N–H stretching modes, respectively [20]. (b) Absorption bands of Si–H stretching mode and N–H stretching mode.

Metrics