Abstract

An ultraviolet photodetector was fabricated based on Mg0.07Zn0.93O heterojunction. N, N’-bis (naphthalen-1-y1)-N, N’-bis(pheny) benzidine was selected as the hole transporting layer. I-V characteristic curves of the device were measured in the dark and under the illumination of 340 nm UV light with density of 1.33mW/cm2. The device showed a low dark current of about 3×1010A and a high photo-dark current ratio of 1×105 at 2V bias. A narrowband photoresponse was observed from 300 to 400 nm and centered at 340 nm with a full width at half-maximum of only 30 nm. The maximum peak response is at 340 nm, which is 0.192A/W at the bias of 1V.

© 2012 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
    [CrossRef]
  2. Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
    [CrossRef]
  3. W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
    [CrossRef]
  4. Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
    [CrossRef]
  5. A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
    [CrossRef]
  6. Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
    [CrossRef]
  7. U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
    [CrossRef]
  8. A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
    [CrossRef]
  9. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
    [CrossRef]
  10. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
    [CrossRef]
  11. H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
    [CrossRef]
  12. M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
    [CrossRef]
  13. S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
    [CrossRef]
  14. L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
    [CrossRef]
  15. D. Ray and K. L. Narasimhan, Appl. Phys. Lett. 91, 093516 (2007).
    [CrossRef]
  16. I. H. Campbell and B. K. Crone, Appl. Phys. Lett. 95, 263302 (2009).
    [CrossRef]
  17. W. T. Hammond and J. Xue, Appl. Phys. Lett. 97, 073302 (2010).
    [CrossRef]
  18. W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
    [CrossRef]
  19. F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
    [CrossRef]
  20. R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
    [CrossRef]
  21. J.-A. Cheng and P.-J. Cheng, J. Chem. Crystallogr. 40, 557 (2010).
    [CrossRef]
  22. B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
    [CrossRef]
  23. M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
    [CrossRef]
  24. Q. Dai and X. Q. Zhang, Opt. Express 18, 11821 (2010).
    [CrossRef]
  25. D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
    [CrossRef]
  26. S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
    [CrossRef]

2012

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

2011

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
[CrossRef]

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

2010

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

W. T. Hammond and J. Xue, Appl. Phys. Lett. 97, 073302 (2010).
[CrossRef]

Q. Dai and X. Q. Zhang, Opt. Express 18, 11821 (2010).
[CrossRef]

J.-A. Cheng and P.-J. Cheng, J. Chem. Crystallogr. 40, 557 (2010).
[CrossRef]

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

2009

I. H. Campbell and B. K. Crone, Appl. Phys. Lett. 95, 263302 (2009).
[CrossRef]

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
[CrossRef]

2007

D. Ray and K. L. Narasimhan, Appl. Phys. Lett. 91, 093516 (2007).
[CrossRef]

2006

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

2005

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

2003

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

2002

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

2000

R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
[CrossRef]

1998

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

1996

M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
[CrossRef]

1992

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Alivov, Y. I.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Avrutin, V.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Beverina, L.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Binda, M.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Bonanno, G.

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Campbell, I. H.

I. H. Campbell and B. K. Crone, Appl. Phys. Lett. 95, 263302 (2009).
[CrossRef]

Chang, C.-C.

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

Chen, C. H.

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

Chen, D.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Chen, J.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

Chen, J.-F.

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

Chen, K.-H.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Cheng, J.-A.

J.-A. Cheng and P.-J. Cheng, J. Chem. Crystallogr. 40, 557 (2010).
[CrossRef]

Cheng, P.-J.

J.-A. Cheng and P.-J. Cheng, J. Chem. Crystallogr. 40, 557 (2010).
[CrossRef]

Cho, G. S.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Cho, S. J.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Choi, S.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Choopun, S.

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Chu, B.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Crone, B. K.

I. H. Campbell and B. K. Crone, Appl. Phys. Lett. 95, 263302 (2009).
[CrossRef]

Dai, Q.

Di Franco, S.

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Ding, K.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Dogan, S.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Dong, H. L.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

Dupuis, R. D.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Fang, Y. K.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Gong, H.

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

Gong, X.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

Hammond, W. T.

W. T. Hammond and J. Xue, Appl. Phys. Lett. 97, 073302 (2010).
[CrossRef]

Han, S.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Hsieh, M.-T.

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

Hu, W. P.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

Hu, Z. F.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
[CrossRef]

Hu, Z.-Z.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Huang, F.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Huang, H. Q.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

Huang, J.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Hullavarad, S. S.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

Hwang, S.-B.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Iacchetti, A.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Janotti, A.

A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
[CrossRef]

Jiang, M.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Kawasaki, M.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Kim, H. J.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Kim, S. D.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Koida, T.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Koinuma, H.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Kuo, L.-C.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Lee, C. H.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Lee, C. S.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
[CrossRef]

Lee, S. T.

R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
[CrossRef]

Lee, W. G.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Li, B.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Li, W.-L.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Li, X.

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

Li, Z. J.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

Lin, Z.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Liu, C.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Liu, C.-R.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Liu, F. J.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

Ma, D.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

Masubuchi, K.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Meng, Q.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

Morkoç, H.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Nagaraj, B.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

Narasimhan, K. L.

D. Ray and K. L. Narasimhan, Appl. Phys. Lett. 91, 093516 (2007).
[CrossRef]

Narayan, B.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Natali, D.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Oh, J. H.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Ohtomo, A.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Özgür, U.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Raineri, V.

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Ray, D.

D. Ray and K. L. Narasimhan, Appl. Phys. Lett. 91, 093516 (2007).
[CrossRef]

Razeghi, M.

M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
[CrossRef]

Reshchikov, M. A.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Rhee, J. K.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Roccaforte, F.

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Rogalski, A.

M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
[CrossRef]

Ryou, J.-H.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Sakurai, Y.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Sampietro, M.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Sassi, M.

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

Sciuto, A.

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Segawa, Y.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Shan, C.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Sharma, R. P.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Shen, D.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Shen, H.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Shen, S.-C.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Su, Z.-S.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Sul, W. S.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

Takeuchi, I.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

Tang, Y.

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

Teke, A.

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

Tsai, M.-J.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

Van de Walle, C. G.

A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
[CrossRef]

Venkatesan, T.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Vispute, R. D.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Wang, J.-B.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Wang, L.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Wang, S.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Wang, Y. S.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
[CrossRef]

Wu, S.-H.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Xu, J.

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

Xue, J.

W. T. Hammond and J. Xue, Appl. Phys. Lett. 97, 073302 (2010).
[CrossRef]

Yan, F.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Yang, D.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

Yang, W.

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

Yasuda, T.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

Yoshida, Y.

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

You, D.

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

Zhan, Z.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Zhang, G.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Zhang, J.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Zhang, R. Q.

R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
[CrossRef]

Zhang, X. Q.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
[CrossRef]

Q. Dai and X. Q. Zhang, Opt. Express 18, 11821 (2010).
[CrossRef]

Zhang, Y.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

Zhang, Z.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Zhang, Z.-Q.

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Zhao, D.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Zhao, H.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Zhao, J. W.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

Zhao, Y.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

Zheng, J.

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

Zheng, Q.

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

Zhu, H. F.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

Zhu, L.

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

L. Zhu, Q. Dai, Z. F. Hu, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, Opt. Lett. 36, 1821 (2011).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett.

Y. Zhang, S.-C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).
[CrossRef]

A. Sciuto, F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri, and G. Bonanno, Appl. Phys. Lett. 89, 081111 (2006).
[CrossRef]

Q. Zheng, F. Huang, K. Ding, J. Huang, D. Chen, Z. Zhan, and Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 98, 221112 (2011).
[CrossRef]

A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
[CrossRef]

S. Choopun, R. D. Vispute, W. Yang, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 80, 1529 (2002).
[CrossRef]

M. Binda, A. Iacchetti, D. Natali, L. Beverina, M. Sassi, and M. Sampietro, Appl. Phys. Lett. 98, 073303 (2011).
[CrossRef]

S. Han, Z. Zhang, J. Zhang, L. Wang, J. Zheng, H. Zhao, Y. Zhang, M. Jiang, S. Wang, D. Zhao, C. Shan, B. Li, and D. Shen, Appl. Phys. Lett. 99, 242105 (2011).
[CrossRef]

D. Ray and K. L. Narasimhan, Appl. Phys. Lett. 91, 093516 (2007).
[CrossRef]

I. H. Campbell and B. K. Crone, Appl. Phys. Lett. 95, 263302 (2009).
[CrossRef]

W. T. Hammond and J. Xue, Appl. Phys. Lett. 97, 073302 (2010).
[CrossRef]

W. Yang, S. S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R. P. Sharma, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and H. Shen, Appl. Phys. Lett. 82, 3424 (2003).
[CrossRef]

M.-T. Hsieh, C.-C. Chang, J.-F. Chen, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 103510 (2006).
[CrossRef]

D. You, Y. Tang, J. Xu, X. Li, X. Li, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 89, 062107 (2006).
[CrossRef]

S.-H. Wu, W.-L. Li, B. Chu, C. S. Lee, Z.-S. Su, J.-B. Wang, F. Yan, G. Zhang, Z.-Z. Hu, and Z.-Q. Zhang, Appl. Phys. Lett. 96, 093302 (2010).
[CrossRef]

Chem. Soc. Rev.

H. L. Dong, H. F. Zhu, Q. Meng, X. Gong, and W. P. Hu, Chem. Soc. Rev. 41, 1754 (2012).
[CrossRef]

IEEE Electr. Device L.

W. S. Sul, J. H. Oh, C. H. Lee, G. S. Cho, W. G. Lee, S. D. Kim, and J. K. Rhee, IEEE Electr. Device L. 31, 41 (2010).
[CrossRef]

IEEE T. Electron Dev.

Y. K. Fang, S.-B. Hwang, K.-H. Chen, C.-R. Liu, M.-J. Tsai, and L.-C. Kuo, IEEE T. Electron Dev. 39, 292 (1992).
[CrossRef]

F. J. Liu, Z. F. Hu, L. Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang, IEEE T. Electron Dev. 59, 7 (2012), online.
[CrossRef]

J. Appl. Phys.

M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
[CrossRef]

U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
[CrossRef]

J. Chem. Crystallogr.

J.-A. Cheng and P.-J. Cheng, J. Chem. Crystallogr. 40, 557 (2010).
[CrossRef]

J. Chem. Phys.

R. Q. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Chem. Phys. 112, 8614 (2000).
[CrossRef]

Opt. Express

Opt. Lett.

Org. Electron.

B. Li, J. Chen, Y. Zhao, D. Yang, and D. Ma, Org. Electron. 12, 974 (2011).
[CrossRef]

Rep. Prog. Phys.

A. Janotti and C. G. Van de Walle, Rep. Prog. Phys. 72, 126501 (2009).
[CrossRef]

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (4)

Fig. 1.
Fig. 1.

(a) Structure of NPB; (b) schematic structure of the PDs.

Fig. 2.
Fig. 2.

Absorption spectra of MgZnO (300 nm) and NPB (70 nm) films deposited on quartz substrates. Inset shows the transmission spectra of ITO (100 nm) film on quartz substrate.

Fig. 3.
Fig. 3.

I-V curve of the PD in the dark. The inset shows J-V characteristics of the PD in the dark and under illumination of 340 nm UV light with density of 1.33mW/cm2.

Fig. 4.
Fig. 4.

Photocurrent response spectra of the device operated at bias of 1V. The photocurrent response is defined as the ratio of photocurrent density to incident light intensity.

Metrics