Abstract

The effect of using chirped multiple quantum-well (MQW) structures in InGaN green light-emitting diodes (LEDs) is numerically investigated. An active structure, which is with both thick QWs with low indium composition on the p-side and thin QWs with high indium composition next to the n-region, is presented in this study. The thickness and indium composition in each single QW is specifically tuned to emit the same green emission spectrum. Comparing with conventional active structure design of green LEDs, which is using uniform MQWs, the output power is increased by 27% at 20 mA, and by 15% at 100 mA current injections. This improvement is mainly attributed to the enhanced efficiency of carrier injection into QWs and the improved capability of carrier transport.

© 2012 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
    [CrossRef]
  2. S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
    [CrossRef]
  3. C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
    [CrossRef]
  4. H. Zhao, G. Liu, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 97, 131114 (2010).
    [CrossRef]
  5. S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
    [CrossRef]
  6. H. Zhao, G. Lin, J. Zhang, J. D. Poplawsky, V. Dierolf, and N. Tansu, Opt. Express 19, A991 (2011).
    [CrossRef]
  7. Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
    [CrossRef]
  8. J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
    [CrossRef]
  9. S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
    [CrossRef]
  10. E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
    [CrossRef]
  11. I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
    [CrossRef]
  12. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
    [CrossRef]
  13. J. Wu, J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009).
    [CrossRef]
  14. D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
    [CrossRef]
  15. J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.-Optoelectron. 149, 145 (2002).
    [CrossRef]
  16. J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices—Principles and Simulation (Wiley-VCH, 2007), p. 24.

2011 (2)

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

H. Zhao, G. Lin, J. Zhang, J. D. Poplawsky, V. Dierolf, and N. Tansu, Opt. Express 19, A991 (2011).
[CrossRef]

2010 (5)

H. Zhao, G. Liu, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 97, 131114 (2010).
[CrossRef]

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
[CrossRef]

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

2009 (4)

J. Wu, J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009).
[CrossRef]

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

2007 (1)

S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[CrossRef]

2003 (1)

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

2002 (1)

J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.-Optoelectron. 149, 145 (2002).
[CrossRef]

2001 (1)

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[CrossRef]

Baumann, F.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Baur, J.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Cai, L. E.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Chang, C. Y.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Chang, J. Y.

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Chang, S. P.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Chen, J. R.

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Dierolf, V.

Edwards, G.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Engl, K.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Fleury, B.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Fu, D. Y.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Fujimoto, T.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Goto, S.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Hahn, B.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Hu, E.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Hu, X. L.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Ikeda, M.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Ikeda, S.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Iza, M.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Jiang, F.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Kirsch, M.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Ku, P. H.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Kuemmler, V.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Kuo, H. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Kuo, Y. K.

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Lan, Y. P.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Li, J. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Lin, C. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Lin, G.

Ling, S. C.

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Liu, B.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Liu, G.

H. Zhao, G. Liu, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 97, 131114 (2010).
[CrossRef]

Lu, H.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Lu, I. L.

I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
[CrossRef]

Lu, T. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Matioli, E.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Matsumoto, O.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Meyer, J. R.

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[CrossRef]

Mizuno, T.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Nakamura, S.

J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.-Optoelectron. 149, 145 (2002).
[CrossRef]

Off, J.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Park, J.

S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[CrossRef]

Park, S. H.

S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[CrossRef]

Peter, M.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Pfaff, N.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Piprek, J.

J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.-Optoelectron. 149, 145 (2002).
[CrossRef]

J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices—Principles and Simulation (Wiley-VCH, 2007), p. 24.

Poplawsky, J. D.

Ram-Mohan, L. R.

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[CrossRef]

Rangel, E.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Singh, J.

I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
[CrossRef]

Speck, J.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Strauss, J.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Streubel, K.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Takeya, M.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Tansu, N.

Tojyo, T.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Tsai, M. C.

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Uchida, S.

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

Vurgaftman, I.

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[CrossRef]

Wang, B. G.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Wang, C. H.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Wang, Q. M.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Wang, S. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

Weisbuch, C.

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Wirth, R.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Wu, J.

J. Wu, J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009).
[CrossRef]

Wu, R.

I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
[CrossRef]

Xie, Z. L.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Xiu, X. Q.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Yang, H. C.

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

Yen, S. H.

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

Yoon, E.

S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[CrossRef]

Yu, J. Z.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Zehnder, U.

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Zhang, B. P.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Zhang, J.

Zhang, J. Y.

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

Zhang, R.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Zhao, H.

Zheng, Y. D.

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (7)

S. C. Ling, T. C. Lu, S. P. Chang, J. R. Chen, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 96, 231101 (2010).
[CrossRef]

C. H. Wang, S. P. Chang, P. H. Ku, J. C. Li, Y. P. Lan, C. C. Lin, H. C. Yang, H. C. Kuo, T. C. Lu, S. C. Wang, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 99, 171106 (2011).
[CrossRef]

H. Zhao, G. Liu, and N. Tansu, Appl. Phys. Lett. 97, 131114 (2010).
[CrossRef]

S. H. Park, J. Park, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 023508 (2007).
[CrossRef]

E. Matioli, E. Rangel, M. Iza, B. Fleury, N. Pfaff, J. Speck, E. Hu, and C. Weisbuch, Appl. Phys. Lett. 96, 031108(2010).
[CrossRef]

Y. K. Kuo, J. Y. Chang, M. C. Tsai, and S. H. Yen, Appl. Phys. Lett. 95, 011116 (2009).
[CrossRef]

J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 95, 161110 (2009).
[CrossRef]

IEE Proc.-Optoelectron. (1)

J. Piprek and S. Nakamura, IEE Proc.-Optoelectron. 149, 145 (2002).
[CrossRef]

IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. (1)

S. Uchida, M. Takeya, S. Ikeda, T. Mizuno, T. Fujimoto, O. Matsumoto, S. Goto, T. Tojyo, and M. Ikeda, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1252 (2003).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (4)

I. L. Lu, R. Wu, and J. Singh, J. Appl. Phys. 108, 124508 (2010).
[CrossRef]

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
[CrossRef]

J. Wu, J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009).
[CrossRef]

D. Y. Fu, R. Zhang, B. G. Wang, B. Liu, Z. L. Xie, X. Q. Xiu, H. Lu, Y. D. Zheng, and G. Edwards, J. Appl. Phys. 108, 103107 (2010).
[CrossRef]

Opt. Express (1)

Phys. Status Solidi C (1)

J. Baur, F. Baumann, M. Peter, K. Engl, U. Zehnder, J. Off, V. Kuemmler, M. Kirsch, J. Strauss, R. Wirth, K. Streubel, and B. Hahn, Phys. Status Solidi C 6, S905 (2009).
[CrossRef]

Other (1)

J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices—Principles and Simulation (Wiley-VCH, 2007), p. 24.

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (5)

Fig. 1.
Fig. 1.

Experimental (open dots) and simulated (solid curves) LI and IV characteristics for the conventional green LED with conventional uniform MQW structure. The inset shows the electroluminescence spectrum when the injection current is 20 mA.

Fig. 2.
Fig. 2.

Schematic plot of the green LEDs with conventional uniform and chirped MQW structures.

Fig. 3.
Fig. 3.

Simulated (a) IQE and LI and (b) IV characteristics of the green LEDs with conventional uniform and chirped MQW structures.

Fig. 4.
Fig. 4.

Calculated energy band diagrams of the green LEDs with (a) conventional uniform MQW, (b) chirped MQWs-a, and (c) chirped MQWs-b structures.

Fig. 5.
Fig. 5.

Electron and hole concentrations distributed within the active region of the green LEDs with (a) conventional uniform MQW, (b) chirped MQWs-a, and (c) chirped MQWs-b structures.

Metrics