Abstract

We demonstrate a passively Q-switched diode-pumped 1.34-µm Nd:YVO4 microchip laser. We achieved single-frequency, 230-ps pulses by using an InGaAsP semiconductor saturable-absorber mirror. We can vary the pulse width and the repetition rate from 230  ps to 12  ns and from 30  kHz to 4  MHz, respectively, by changing the design parameters of the saturable absorber, the thickness of the crystal, and the pump power.

© 1997 Optical Society of America

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Cited By

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Figures (4)

Fig. 1
Fig. 1

Sampling oscilloscope trace of the single-frequency 230-ps-long Q-switched pulse at 1.34 µm.

Fig. 2
Fig. 2

Schematic of the Q-switched Nd:YVO 4 laser system with a SESAM in direct contact with the crystal. HT, highly transmitting; HR, highly reflecting.

Fig. 3
Fig. 3

Low-intensity reflectivity measurement of the AlAs/GaAs and InGaAsP/InP Bragg mirrors (BM’s) and the InGaAsP SESAM with a 50% top reflector and with an antireflection coating.

Fig. 4
Fig. 4

(a) Lifetime measurement of the SESAM with 150-fs pulses and a pulse energy density in the saturated regime. (b) Reflectivity of the SESAM as a function of incident pulse energy density.

Tables (1)

Tables Icon

Table 1 Material Properties of Common Microchip Laser Materialsa

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