Abstract

While most previous studies of Hg-based mid-IR lasers have focused on either bulk Hg1-xCdxTe alloys or thick (> 100 Å) Hg1-xCdxTe quantum wells with relatively large x, we show that much thinner (20–30 Å) HgTe binary wells may be engineered to suppress both Auger recombination and intervalence free carrier absorption. On the basis of detailed numerical simulations, we predict 4.3 μm cw emission at temperatures up to 220 K for optical pumping and 105 K for diode operation. In pulsed mode, we expect maximum lasing temperatures more than 100 K higher than any prior Hg-based mid-IR result.

© 1998 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article
Related Articles
Auger optimization in mid-infrared lasers: the importance of final-state optimization

Michael E. Flatté and C. H. Grein
Opt. Express 2(4) 131-136 (1998)

Performance and optical characteristic of InGaN MQWs laser diodes

S. M. Thahab, H. Abu Hassan, and Z. Hassan
Opt. Express 15(5) 2380-2390 (2007)

Theory for n-type doped, tensile-strained Ge-SixGeySn1-x-y quantum-well lasers at telecom wavelength

Guo-En Chang, Shu-Wei Chang, and Shun Lien Chuang
Opt. Express 17(14) 11246-11258 (2009)

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. I. Melngailis and A. J. Strauss, Appl. Phys. Lett.8, 179 (1966).
  2. J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
    [Crossref]
  3. J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
    [Crossref]
  4. A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
    [Crossref]
  5. A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
    [Crossref]
  6. H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).
  7. J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
    [Crossref]
  8. H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
    [Crossref]
  9. C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
    [Crossref]
  10. J. Singh and R. Zucca, J. Appl. Phys. 72, 2043 (1992).
    [Crossref]
  11. M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
    [Crossref]
  12. J. A. Mroczkowski and D. A. Nelson, J. Appl. Phys. 54, 2041 (1983).
    [Crossref]
  13. V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
    [Crossref]
  14. J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
    [Crossref]
  15. Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
    [Crossref]
  16. J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
    [Crossref]
  17. M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
    [Crossref]
  18. H. P. Hjalmarson and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 69, 949 (1996).
    [Crossref]
  19. C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
    [Crossref]
  20. B. M. Vul, V. M. Sal’man, and V. A. Chapnin, Fiz. Tekh. Poluprovodn.4, 67 (1970) [Sov. Phys. Semicond.4, 52 (1970)].
  21. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
    [Crossref]
  22. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 3, 75 (1997).
    [Crossref]
  23. J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
    [Crossref]

1997 (3)

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 3, 75 (1997).
[Crossref]

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

1996 (3)

H. P. Hjalmarson and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 69, 949 (1996).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

1995 (4)

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

1994 (4)

C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
[Crossref]

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
[Crossref]

1993 (5)

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
[Crossref]

V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
[Crossref]

1992 (1)

J. Singh and R. Zucca, J. Appl. Phys. 72, 2043 (1992).
[Crossref]

1983 (1)

J. A. Mroczkowski and D. A. Nelson, J. Appl. Phys. 54, 2041 (1983).
[Crossref]

1966 (1)

I. Melngailis and A. J. Strauss, Appl. Phys. Lett.8, 179 (1966).

Arias, J. M.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

Bartoli, F. J.

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

Batke, E.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Becker, C. R.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Bleuse, J.

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

Bonnet-Gamard, J.

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

Chang, P. C.

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Chapnin, V. A.

B. M. Vul, V. M. Sal’man, and V. A. Chapnin, Fiz. Tekh. Poluprovodn.4, 67 (1970) [Sov. Phys. Semicond.4, 52 (1970)].

Chen, M. C.

V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
[Crossref]

Choi, H. K.

H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
[Crossref]

Choi, J. B.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Cinader, G.

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
[Crossref]

Cook, J. W.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Cruz, H.

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

Eglash, S. J.

H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
[Crossref]

Ehrenreich, H.

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
[Crossref]

Faurie, J. P.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Felix, C. L.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Flatte, M. E.

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

Furdyna, J. K.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Goschenhofer, F.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Grein, C. H.

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
[Crossref]

Hadji, E.

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

Han, J. W.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Helgesen, P.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Hjalmarson, H. P.

H. P. Hjalmarson and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 69, 949 (1996).
[Crossref]

Hoffman, C. A.

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Hwang, S.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Kang, T. W.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Karczewski, G.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Kurtz, S. R.

H. P. Hjalmarson and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 69, 949 (1996).
[Crossref]

Landwehr, G.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Lansari, Y.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Latussek, V.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Le, H. Q.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

Lin, C.-H.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Liu, Y.-Z.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

Lopes, V. C.

V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
[Crossref]

Magnea, N.

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

Malin, J. I.

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Mariette, H.

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

Melngailis, I.

I. Melngailis and A. J. Strauss, Appl. Phys. Lett.8, 179 (1966).

Meyer, J. R.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 3, 75 (1997).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Miles, R. H.

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

Mroczkowski, J. A.

J. A. Mroczkowski and D. A. Nelson, J. Appl. Phys. 54, 2041 (1983).
[Crossref]

Murry, S. J.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Nelson, D. A.

J. A. Mroczkowski and D. A. Nelson, J. Appl. Phys. 54, 2041 (1983).
[Crossref]

Pautrat, J. L.

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

Pautrat, J.-L.

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

Pei, S.-S.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Pinto, J. F.

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

Ram-Mohan, L. R.

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

Ravid, A.

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
[Crossref]

Sal’man, V. M.

B. M. Vul, V. M. Sal’man, and V. A. Chapnin, Fiz. Tekh. Poluprovodn.4, 67 (1970) [Sov. Phys. Semicond.4, 52 (1970)].

Sanchez, A.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

Schetzina, J. F.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Sher, A.

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

Singh, J.

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

J. Singh and R. Zucca, J. Appl. Phys. 72, 2043 (1992).
[Crossref]

Sizmann, R.

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Strauss, A. J.

I. Melngailis and A. J. Strauss, Appl. Phys. Lett.8, 179 (1966).

Syllaios, A. J.

V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
[Crossref]

Truchsess, M. von

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Turner, G. W.

H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
[Crossref]

Vul, B. M.

B. M. Vul, V. M. Sal’man, and V. A. Chapnin, Fiz. Tekh. Poluprovodn.4, 67 (1970) [Sov. Phys. Semicond.4, 52 (1970)].

Vurgaftman, I.

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 3, 75 (1997).
[Crossref]

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

Yang, Z.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Yoo, K. H.

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

Young, P. M.

C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
[Crossref]

Yu, Z.

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

Zandian, M.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

Zhang, D.

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

Zucca, R.

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

J. Singh and R. Zucca, J. Appl. Phys. 72, 2043 (1992).
[Crossref]

Zucca, R. R.

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

Zussman, A.

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
[Crossref]

Appl. Phys. Lett. (4)

I. Melngailis and A. J. Strauss, Appl. Phys. Lett.8, 179 (1966).

H. K. Choi, S. J. Eglash, and G. W. Turner, Appl. Phys. Lett. 64, 2474 (1994).
[Crossref]

H. P. Hjalmarson and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 69, 949 (1996).
[Crossref]

J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
[Crossref]

Electron. Lett. (1)

J. I. Malin, C. L. Felix, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. F. Pinto, C.-H. Lin, P. C. Chang, S. J. Murry, and S.-S. Pei, Electron. Lett. 32, 1593 (1996).
[Crossref]

IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. (1)

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, IEEE J. Sel. Topics Quantum. Electron. 3, 75 (1997).
[Crossref]

IEEE Photonics Technol. Lett. (1)

C. L. Felix, J. R. Meyer, I. Vurgaftman, C.-H. Lin, S. J. Murry, D. Zhang, and S.-S. Pei, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 734 (1997).
[Crossref]

Inst. Phys. Conf. Ser. (1)

H. Q. Le, A. Sanchez, J. M. Arias, M. Zandian, R. R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Inst. Phys. Conf. Ser. 144, 24 (1995).

J. Appl. Phys. (6)

C. H. Grein, P. M. Young, and H. Ehrenreich, J. Appl. Phys. 76, 1940 (1994).
[Crossref]

J. Singh and R. Zucca, J. Appl. Phys. 72, 2043 (1992).
[Crossref]

M. E. Flatte, C. H. Grein, H. Ehrenreich, R. H. Miles, and H. Cruz, J. Appl. Phys. 78, 4552 (1995).
[Crossref]

J. A. Mroczkowski and D. A. Nelson, J. Appl. Phys. 54, 2041 (1983).
[Crossref]

A. Ravid, A. Sher, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 73, 7102 (1993).
[Crossref]

A. Ravid, G. Cinader, and A. Zussman, J. Appl. Phys. 74, 15 (1993).
[Crossref]

J. Cryst. Growth (1)

J. Bonnet-Gamard, J. Bleuse, N. Magnea, and J. L. Pautrat, J. Cryst. Growth 159, 613 (1996).
[Crossref]

J. Electron. Mater. (1)

J. L. Pautrat, E. Hadji, J. Bleuse, and N. Magnea, J. Electron. Mater. 26, 667 (1997).
[Crossref]

Phys. Rev. B (3)

Z. Yang, Z. Yu, Y. Lansari, S. Hwang, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Phys. Rev. B 49, 8096 (1994).
[Crossref]

J. B. Choi, K. H. Yoo, J. W. Han, T. W. Kang, J. R. Meyer, C. A. Hoffman, G. Karczewski, J. K. Furdyna, and J. P. Faurie, Phys. Rev. B 49, 11060 (1994).
[Crossref]

M. von Truchsess, V. Latussek, F. Goschenhofer, C. R. Becker, G. Landwehr, E. Batke, R. Sizmann, and P. Helgesen, Phys. Rev. B 51, 17618 (1995).
[Crossref]

Semicond. Sci. Technol. (3)

J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and J. Singh, Semicond. Sci. Technol. 8, S255 (1993).
[Crossref]

J. Bleuse, N. Magnea, J.-L. Pautrat, and H. Mariette, Semicond. Sci. Technol. 8, S286 (1993).
[Crossref]

V. C. Lopes, A. J. Syllaios, and M. C. Chen, Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993).
[Crossref]

Other (1)

B. M. Vul, V. M. Sal’man, and V. A. Chapnin, Fiz. Tekh. Poluprovodn.4, 67 (1970) [Sov. Phys. Semicond.4, 52 (1970)].

Cited By

OSA participates in Crossref's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (6)

Fig. 1.
Fig. 1.

In-plane bandstructure at 77 K for a MQW consisting of 150 Å Hg0.65Cd0.35Te wells and 100 Å Hg0.15Cd0.85Te barriers grown along the (100) direction.

Fig. 2.
Fig. 2.

In-plane bandstructure at 150 K for a MQW consisting of 24 Å-thick HgTe wells and 60 Å Hg0.1Cd0.9Te barriers grown along the (211) direction. The dashed line shows the heavy-hole dispersion for a bulk HgCdTe alloy with the same bandgap.

Fig. 3.
Fig. 3.

Calculated cw (solid) and pulsed (dashed curves) output power per facet for an optically pumped bulk Hg0.7Cd0.3Te alloy emitting at 4.3 μm as a function of pump intensity at several representative temperatures. The cavity length of 1 mm and the stripe width of 200 μm are the same in Fig. 3–6.

Fig. 4.
Fig. 4.

Calculated cw (solid curves) and pulsed (dashed curves) output power per facet for an optically pumped quantum-well structure of Fig. 2 emitting at 4.3 μm as a function of pump intensity at several representative temperatures.

Fig. 5.
Fig. 5.

Calculated pulsed output power per facet for an electrically pumped quantum-well structure (Fig. 2) emitting at 4.3 μm as a function of injected current density at several temperatures.

Fig. 6.
Fig. 6.

Calculated cw output power per facet for an electrically pumped quantum-well structure (Fig. 2) emitting at 4.3 μm as a function of injected current density at several temperatures.

Metrics