Abstract

The surface photovoltage (SPV) spectra of a series of vertically stacked self-organized InAs/GaAs quantum dot (QD)-based laser structures with different spacer layer (SL) thickness were obtained as a function of temperature (77 K ≤ T ≤ 300 K). A decrease of the compressive stress for thinner SL samples arising from coherent relaxation enables us to designate the effect of material intermixing as the most probable mechanism of the energetic blueshift of the observed structures. The turnaround characteristic of the temperature-dependent spectral intensity shows that the reduced SPV signal at higher temperature is limited by the carrier scattering and at lower temperature it is governed by the magnitude of built-in electric field and the escape efficiency of the photogenerated carriers. The dot states to be blueshifted by material intermixing are expected to have higher escape rate for carriers out of QDs, thus resulting in lower measurable temperature for the detected SPV signal. The relatively higher signal at low temperature for the 10 nm SL sample provides a direct evidence of the tunneling process of carriers in the stacked QD layers.

© 2007 Optical Society of America

Full Article  |  PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
    [CrossRef]
  2. S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
    [CrossRef]
  3. D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
    [CrossRef]
  4. D. Loss and D. P. DiVincenzo, "Quantum computation with quantum dots," Phys. Rev. A 57,120-126 (1998).
    [CrossRef]
  5. W. Sheng and J. -P. Leburton, "Enhanced intraband Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Appl. Phys. Lett. 78, 1258-1260 (2001).
    [CrossRef]
  6. G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
    [CrossRef]
  7. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
    [CrossRef] [PubMed]
  8. J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
    [CrossRef]
  9. M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
    [CrossRef]
  10. J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
    [CrossRef] [PubMed]
  11. M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
    [CrossRef] [PubMed]
  12. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledenstov, Quantum Dot Heterostructures (John Wiley & Sons, Chichester, 1999).
  13. D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
    [CrossRef]
  14. K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
    [CrossRef]
  15. A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
    [CrossRef]
  16. L. Kronik and Y. Shapira, "Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering," Surf. Interface Anal. 31, 954-965 (2001).
    [CrossRef]
  17. C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
    [CrossRef]
  18. C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
    [CrossRef]
  19. B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
    [CrossRef]
  20. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
    [CrossRef]
  21. M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
    [CrossRef]
  22. J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
    [CrossRef]
  23. J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
    [CrossRef]
  24. H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
    [CrossRef]
  25. J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
    [CrossRef]
  26. W. Sheng and J. -P. Leburton, "Anomalous quantum-confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. Lett. 88, 167401-167404 (2002).
    [CrossRef] [PubMed]
  27. Gh. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, and F. Koch, "Surface photovoltage studies of InxGa1-xAs and InxGa1-xAs1-yNy quantum well structures," Phys. Rev. B 66, 205324-205331 (2002).
    [CrossRef]
  28. M. Bayer and F. Forchel, "Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 65, 41308-41311 (2002).
    [CrossRef]
  29. B. L. Anderson and R. L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor Devices (McGraw-Hill, New York, 2005).

2007 (1)

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

2006 (2)

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

2005 (1)

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

2003 (1)

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

2002 (5)

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Anomalous quantum-confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. Lett. 88, 167401-167404 (2002).
[CrossRef] [PubMed]

Gh. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, and F. Koch, "Surface photovoltage studies of InxGa1-xAs and InxGa1-xAs1-yNy quantum well structures," Phys. Rev. B 66, 205324-205331 (2002).
[CrossRef]

M. Bayer and F. Forchel, "Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 65, 41308-41311 (2002).
[CrossRef]

2001 (2)

L. Kronik and Y. Shapira, "Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering," Surf. Interface Anal. 31, 954-965 (2001).
[CrossRef]

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Enhanced intraband Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Appl. Phys. Lett. 78, 1258-1260 (2001).
[CrossRef]

2000 (2)

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

1999 (2)

S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
[CrossRef]

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

1998 (3)

D. Loss and D. P. DiVincenzo, "Quantum computation with quantum dots," Phys. Rev. A 57,120-126 (1998).
[CrossRef]

D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
[CrossRef]

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

1997 (3)

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
[CrossRef]

1996 (2)

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

1995 (1)

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

1994 (2)

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Adawi, A. M.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Alferov, Zh. I.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Barrier, D.

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Bastard, G.

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Bayer, M.

M. Bayer and F. Forchel, "Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 65, 41308-41311 (2002).
[CrossRef]

Bert, N. A.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Bimberg, D.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Böhrer, J.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Chan, C. H.

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

Chen, H. S.

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

Chen, J. F.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Chen, T. T.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Chen, Y. F.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Chi, J. Y.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Chi, T. W.

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Christen, J.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Cockburn, J. W.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Csufak, S.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

Deppe, D. G.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

DiVincenzo, D. P.

D. Loss and D. P. DiVincenzo, "Quantum computation with quantum dots," Phys. Rev. A 57,120-126 (1998).
[CrossRef]

Döhler, G. H.

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

Downes, J. R.

J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
[CrossRef]

Eberl, K.

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

Egorov, A. Yu.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Fared, S.

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Faux, D. A.

J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
[CrossRef]

Forchel, F.

M. Bayer and F. Forchel, "Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 65, 41308-41311 (2002).
[CrossRef]

Ge, W. K.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Gerard, J. -M.

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Gordeev, N. Yu.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Gösele, U.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Gray, A. L.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Grundmann, M.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Harris, J. S.

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

Heidemeyer, H.

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

Heydenreich, J.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Hill, G.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Hirakawa, K.

S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
[CrossRef]

Hopkinson, M.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Hsiao, R. S.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Hsu, H. P.

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

Huang, Y. S.

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

Huffaker, D. L.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

Hulicius, E.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Izraël, A.

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Jiang, D. S.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Jin-Phillipp, N. Y.

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

Kao, C. W.

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

Kennerly, S.

D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
[CrossRef]

Kiravittaya, S.

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

Kop’ev, P. S.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Kosogov, A. O.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Kovsh, A. R.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Kronik, L.

L. Kronik and Y. Shapira, "Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering," Surf. Interface Anal. 31, 954-965 (2001).
[CrossRef]

Lai, C. M.

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Leburton, J. -P.

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Anomalous quantum-confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. Lett. 88, 167401-167404 (2002).
[CrossRef] [PubMed]

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Enhanced intraband Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Appl. Phys. Lett. 78, 1258-1260 (2001).
[CrossRef]

Ledenstov, N. N.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Ledentsov, N. N.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Lee, S. -W.

S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
[CrossRef]

Lemaître, A.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Leonard, D.

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Lester, L. F.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Li, H.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Liang, C. Y.

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Lin, G.

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Lin, H. H.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Lin, Y. R.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Lipinski, M. O.

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

Liu, G. T.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Liu, H. Y.

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Liu, Z. D.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Loss, D.

D. Loss and D. P. DiVincenzo, "Quantum computation with quantum dots," Phys. Rev. A 57,120-126 (1998).
[CrossRef]

Maksimov, M. V.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

Malloy, K. T.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Marshall, A. F.

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

Marzin, J. -Y.

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

Maximov, M. V.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Mederiros-Ribeiro, G.

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

Melichar, K.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Merz, J. L.

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Müller, C.

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

Newell, T. C.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

O’Reilly, E. P.

J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
[CrossRef]

Oestreich, M.

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

Oswald, J.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Pan, D.

D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
[CrossRef]

Pangrác, J.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Park, G.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

Petroff, P. M.

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Pond, K.

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Richter, U.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Ruvimov, S. S.

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Sakharov, A. V.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

Samochin, E.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Schmidt, K. H.

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

Schmidt, O. G.

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

Schuler, H.

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

Schuler, O. G.

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

Shapira, Y.

L. Kronik and Y. Shapira, "Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering," Surf. Interface Anal. 31, 954-965 (2001).
[CrossRef]

Shchekin, O. B.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

Shen, J. L.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Sheng, W.

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Anomalous quantum-confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. Lett. 88, 167401-167404 (2002).
[CrossRef] [PubMed]

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Enhanced intraband Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Appl. Phys. Lett. 78, 1258-1260 (2001).
[CrossRef]

Shernyakov, Yu. M.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Shimada, Y.

S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
[CrossRef]

Shu, G. W.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Šimeèek, T.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Skolnick, M. S.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Solomon, G. S.

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

Stinz, A.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Sun, B. Q.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Toušek, J.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Toušková, J.

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

Towe, E.

D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
[CrossRef]

Trezza, J. A.

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

Tsatsl’nikov, A. F.

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

Tsatsul’nikov, A. F.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

Ustinov, V. M.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Varangis, P. M.

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

Wang, J. N.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Wang, J. S.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Wang, Y. Q.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Werner, P.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Wilson, L. R.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Wu, J. Q.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Xu, Z. Y.

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

Yang, C. S.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

Yu, S. H.

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Zaitsev, S. V.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

Zhang, Y. H.

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Zhukov, A. E.

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

Zibik, E. A.

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

Zou, Z.

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

Appl. Phys. Lett. (8)

D. Pan, E. Towe, and S. Kennerly, "Normal-incidence intersubband (In, Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors," Appl. Phys. Lett. 73, 1937-1939 (1998).
[CrossRef]

S. -W. Lee, K. Hirakawa, and Y. Shimada, "Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures," Appl. Phys. Lett. 75, 1428-1430 (1999).
[CrossRef]

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Enhanced intraband Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Appl. Phys. Lett. 78, 1258-1260 (2001).
[CrossRef]

A. M. Adawi, E. A. Zibik, L. R. Wilson, A. Lemaître, J. W. Cockburn, M. S. Skolnick, M. Hopkinson, and G. Hill, "Comparison of intraband absorption and photocurrent in InAs/GaAs quantum dots,"Appl. Phys. Lett. 83, 602-604 (2003).
[CrossRef]

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Investigation of multilayer electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dot structures using surface photovoltage spectroscopy," Appl. Phys. Lett. 89, 22114-22116 (2006).
[CrossRef]

B. Q. Sun, Z. D. Liu, D. S. Jiang, J. Q. Wu, Z. Y. Xu, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, "Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots," Appl. Phys. Lett. 73, 2657-2659 (1998).
[CrossRef]

M. O. Lipinski, H. Schuler, O. G. Schuler, O. G. Schmidt, and K. Eberl, "Strain-induced material intermixing of InAs quantum dots in GaAs," Appl. Phys. Lett. 77, 1789-1791 (2000).
[CrossRef]

H. Heidemeyer, S. Kiravittaya, C. Müller, N. Y. Jin-Phillipp, and O. G. Schmidt, "Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate," Appl. Phys. Lett. 80, 1544-1546 (2002).
[CrossRef]

IEEE J. Quantum Electron. (2)

G. T. Liu, A. Stinz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. T. Malloy, and L. F. Lester, "The influence of quantum-well composition on the performance of quantum dot lasers using InAs-InGaAs dots-in-a-well (DWELL) structures," IEEE J. Quantum Electron. 36, 1272-1279 (2000).
[CrossRef]

D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csufak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, "Spontaneous emission and threshold characteristics of 1.3-μm InGaAs-GaAs quantum-dot GaAs-based lasers," IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238-1246 (1999).
[CrossRef]

IEEE Photon. Technol. Lett. (1)

J. S. Wang, R. S. Hsiao, J. F. Chen, C. S. Yang, G. Lin, C. Y. Liang, C. M. Lai, H. Y. Liu, T. W. Chi, and J. Y. Chi, "Engineering laser gain spectrum using electronic vertically coupled InAs/GaAs quantum dots," IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1590-1592 (2005).
[CrossRef]

J. Appl. Phys. (3)

C. H. Chan, H. S. Chen, C. W. Kao, H. P. Hsu, Y. S. Huang, and J. S. Wang, "Surface photovoltage spectroscopy and photoluminescence study of vertically coupled self-assembled InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 100, 64301-64306 (2006).
[CrossRef]

J. R. Downes, D. A. Faux, and E. P. O’Reilly, "A simple method for calculating strain distributions in quantum dot structures," J. Appl. Phys. 81, 6700-6702 (1997).
[CrossRef]

J. Toušková, E. Samochin, J. Toušek, J. Oswald, E. Hulicius, J. Pangrác, K. Melichar, and T. Šimeèek, "Photovoltage spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures," J. Appl. Phys. 91, 10103-10106 (2002).
[CrossRef]

J. Crystal Growth (1)

V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul’nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop’ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots," J. Crystal Growth 175/176, 689-695 (1997).
[CrossRef]

J. Vac. Sci. Technol. B (1)

D. Leonard, S. Fared, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, "Structural and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots," J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516-2520 (1994).
[CrossRef]

Nanotechnology (1)

J. S. Wang, S. H. Yu, Y. R. Lin, H. H. Lin, C. S. Yang, T. T. Chen, Y. F. Chen, G. W. Shu, J. L. Shen, R. S. Hsiao, J. F. Chen, and J. Y. Chi, "Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures," Nanotechnology 18, 15401-15405 (2007).
[CrossRef]

Phys. Rev. A (1)

D. Loss and D. P. DiVincenzo, "Quantum computation with quantum dots," Phys. Rev. A 57,120-126 (1998).
[CrossRef]

Phys. Rev. B (3)

K. H. Schmidt, G. Mederiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, "Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 54, 11346-11353 (1996).
[CrossRef]

Gh. Dumitras, H. Riechert, H. Porteanu, and F. Koch, "Surface photovoltage studies of InxGa1-xAs and InxGa1-xAs1-yNy quantum well structures," Phys. Rev. B 66, 205324-205331 (2002).
[CrossRef]

M. Bayer and F. Forchel, "Temperature dependence of the exciton homogeneous linewidth in In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. B 65, 41308-41311 (2002).
[CrossRef]

Phys. Rev. Lett. (4)

W. Sheng and J. -P. Leburton, "Anomalous quantum-confined Stark effects in stacked InAs/GaAs self-assembled quantum dots," Phys. Rev. Lett. 88, 167401-167404 (2002).
[CrossRef] [PubMed]

J. -Y. Marzin, J. -M. Gerard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, "Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs," Phys. Rev. Lett. 73, 716-719 (1994).
[CrossRef] [PubMed]

M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledenstov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, and Zh. I. Alferov, "Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots," Phys. Rev. Lett. 74, 4043-4046 (1995).
[CrossRef] [PubMed]

G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., "Vertically aligned and electronically coupled growth induced InAs islands in GaAs," Phys. Rev. Lett. 76, 952-955 (1996).
[CrossRef] [PubMed]

Semiconductors (1)

M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zaĭtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsl’nikov, and Zh. I. Alferov, "Optical properties of vertically coupled InGaAs quantum dots in a GaAs matrix," Semiconductors 31, 571-574 (1997).
[CrossRef]

Surf. Interface Anal. (1)

L. Kronik and Y. Shapira, "Surface photovoltage spectroscopy of semiconductor structures: at the crossroads of physics, chemistry and electrical engineering," Surf. Interface Anal. 31, 954-965 (2001).
[CrossRef]

Other (2)

D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledenstov, Quantum Dot Heterostructures (John Wiley & Sons, Chichester, 1999).

B. L. Anderson and R. L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor Devices (McGraw-Hill, New York, 2005).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.


Figures (4)

Fig. 1.
Fig. 1.

The SPV spectra of 30 layers vertically stacked InAs/GaAs QDs with different spacer layer thickness at the temperature of 150 and 300 K. For the purpose of comparison, the SPV spectrum of the single QD layer (reference sample) at 300 K is also displayed. The arrows indicate QD related transition energies obtained from the fitting. The dotted lines in the reference and the 30 nm SL samples show the deconvolution of SPV spectra into three Gaussian features.

Fig. 2.
Fig. 2.

The cross-sectional TEM image of the InAs/GaAs VCQDs with 15 nm GaAs SL. Several dot columns with vertical alignment are present.

Fig. 3.
Fig. 3.

(a) The layered structure of 30 layers coupled-dot system is illustrated. The origin of the coordinate system is at the QD center in the base dot layer; (b) The strain components εxx and εzz, plotted along the growth direction (Z axis) are presented for a single QD embedded in a GaAs matrix. (c)-(e) display the calculated values of strain components εxx and εzz for the VCQD structures with SL thickness of 30, 15, and 10 nm, respectively.

Fig. 4.
Fig. 4.

Temperature dependent SPV spectra of 30 layers vertically stacked InAs/GaAs QDs with GaAs space layer of (a) 30 nm, (b) 15 nm, and (c) 10 nm. The inset in each diagram shows the variation in spectral peak intensity of QD1 with temperature.

Equations (1)

Equations on this page are rendered with MathJax. Learn more.

S α Q D ( h v ) × [ f e hv T d 1 + f h hv T d 2 ] .

Metrics