Abstract

This paper presents the results of a study of the scientific and engineering principles of the creation of silicon multiplexers intended for reading out and preprocessing photodetector signals in the IR ranges 8–14 and 3–5 μm. The noise equivalent temperature difference is estimated for far-IR photodetectors based on silicon multiplexers with linewise and framewise accumulation of signals from HgCdTe photodiodes (PDs). The features of how the structural–technological limitations in the silicon readout circuits affect the characteristics of the IR photodetectors are analyzed for a wide range of parameters of HgCdTe PDs and a wide range of technological design norms for fabricating silicon multiplexers.

© 2014 Optical Society of America

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).
  2. A.  Rogal’skiĭ, Infrared Detectors (Nauka, Novosibirsk, 2003).
  3. Cooled IR photodetectors, SOFRADIR Group, 2013, http://www.sofradir-ec.com/products-cooled.asp
  4. V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].
  5. L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].
  6. V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].
  7. E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
    [CrossRef]
  8. A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).
  9. A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).
  10. A. I.  Kozlov, “Analysis of the principles of the design of circuits of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 46, No. 1, 118 (2010).
  11. A. I.  Kozlov, “Design features and some implementations of silicon multiplexers for IR photodetectors,” Opt. Zh. 77, No. 7, 19 (2010) [J. Opt. Technol. 77, 421 (2010)].
  12. A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, “Commercially oriented development of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 48, No. 4, 60 (2012).
  13. G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
    [CrossRef]
  14. J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
    [CrossRef]
  15. K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
    [CrossRef]
  16. M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
    [CrossRef]
  17. A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).
  18. CMOS Process Technologies, X-FAB Corp., 2013, http://www.xfab.com/en/technology/cmos/ .
  19. Angstrem, 2013, http://www.angstrem.ru/ .
  20. Mikron, 2013, http://www.mikron.sitronics.com/products/micron/technology/ .
  21. L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
    [CrossRef]
  22. D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.
  23. V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

2012

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, “Commercially oriented development of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 48, No. 4, 60 (2012).

2010

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

A. I.  Kozlov, “Analysis of the principles of the design of circuits of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 46, No. 1, 118 (2010).

A. I.  Kozlov, “Design features and some implementations of silicon multiplexers for IR photodetectors,” Opt. Zh. 77, No. 7, 19 (2010) [J. Opt. Technol. 77, 421 (2010)].

2009

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

2008

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

2007

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).

2006

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

2005

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

2002

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

1997

E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
[CrossRef]

1996

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

1995

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

1992

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Akimov, V. M.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Aseev, A. L.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Ashl, T.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Bailey, R. B.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Boch, R.

E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
[CrossRef]

Boltar’, K. O.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

Bovina, L. A.

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

Brunev, D. V.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Buckle, L.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Burlakov, I. D.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

Cabelli, S. C.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Cairns, J. W.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Chu, M.

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

Cooper, D. E.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Crouch, M. A.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Dalton, G. B.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

Degtyarev, E. V.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Dennis, P. N.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

Dobrovol’skii, P. P.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Dvoretskii, S. A.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Dvoretsky, S. A.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

Eremeeva, L. E.

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Filachev, A. M.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

Fomin, B. I.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

Gastev, S. S.

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Giess, J.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Gordon, N. T.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Graham, A.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Gutakovskii, A. K.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Hails, J. E.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Hall, D. J.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Hollier, C. J.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Hydes, A.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Kartashev, V. A.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Klimanov, E. A.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Klimenko, A. G.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Kozlov, A. I.

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, “Commercially oriented development of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 48, No. 4, 60 (2012).

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

A. I.  Kozlov, “Design features and some implementations of silicon multiplexers for IR photodetectors,” Opt. Zh. 77, No. 7, 19 (2010) [J. Opt. Technol. 77, 421 (2010)].

A. I.  Kozlov, “Analysis of the principles of the design of circuits of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 46, No. 1, 118 (2010).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

Kozlowski, L. J.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Krailyuk, A. D.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Latyshev, A. V.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Lees, D. J.

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Liseikin, V. P.

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Mansvetov, N. G.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

Marchishin, I. V.

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, “Commercially oriented development of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 48, No. 4, 60 (2012).

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Mattson, R.

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

McComas, G.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Mikhailov, N. N.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Mottin, E.

E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
[CrossRef]

Ovsyuk, V. N.

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

Pantigny, P.

E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
[CrossRef]

Patrashin, A. I.

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Ponomarenko, V. P.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

Predein, A. V.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Pridachin, D. N.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Pryce, G. J.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Remesnik, V. G.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Rogal’skii, A.

A.  Rogal’skiĭ, Infrared Detectors (Nauka, Novosibirsk, 2003).

Rykhlitskii, S. V.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Sabinina, I. V.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Saginov, L. D.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

Shashkin, V. V.

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

Shchukin, S. V.

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Shvets, V. A.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Sidorov, Yu. G.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Solyakov, V. N.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

Sorochkin, A. V.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

Stafeev, V. I.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

Suslyakov, A. O.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Tennant, W. E.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Terterian, S.

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

Timofeev, A. A.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

Titov, V. P.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Varavin, V. S.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Vasil’ev, V. V.

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Vural, K.

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Wright, A. J.

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

Yakushev, M. V.

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Zakhar’yash, T. I.

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

Zanio, K.

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

Avtometriya

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, V. V.  Shashkin, “Silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 41, No. 3, 88 (2005).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “320 × 256 silicon multiplexers for IR photodetectors based on HgCdTe diodes,” Avtometriya 43, No. 4, 74 (2007).

A. I.  Kozlov, “Analysis of the principles of the design of circuits of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 46, No. 1, 118 (2010).

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, “Commercially oriented development of silicon multiplexers for multielement IR photodetectors,” Avtometriya 48, No. 4, 60 (2012).

Fiz. Tekh. Poluprovodn.

V. I.  Stafeev, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, V. M.  Akimov, E. A.  Klimanov, L. D.  Saginov, V. N.  Solyakov, N. G.  Mansvetov, V. P.  Ponomarenko, A. A.  Timofeev, A. M.  Filachev, “Mid- and far-IR focal plane arrays based on Hg1-xCdxTe photodiodes,” Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1257 (2005) [Semiconductors 39, 1215 (2005)].

Mikroélektronika

A. I.  Kozlov, I. V.  Marchishin, V. N.  Ovsyuk, “1 × 576 silicon multiplexers for IR photodiodes based on HgCdTe,” Mikroélektronika 37, 278 (2008).

Opt. Zh.

A. I.  Kozlov, “Design features and some implementations of silicon multiplexers for IR photodetectors,” Opt. Zh. 77, No. 7, 19 (2010) [J. Opt. Technol. 77, 421 (2010)].

V. M.  Akimov, L. E.  Eremeeva, V. P.  Liseĭkin, S. V.  Shchukin, A. I.  Patrashin, E. A.  Klimanov, A. A.  Timofeev, S. S.  Gastev, “Developing cooled MOS multiplexers for reading and processing the signal from HgCdTe-photodiode arrays,” Opt. Zh. 62, No. 12, 63 (1995) [J. Opt. Technol. 62, 884 (1995)].

L. A.  Bovina, K. O.  Boltar’, I. D.  Burlakov, E. A.  Klimanov, A. I.  Patrashin, L. D.  Saginov, V. I.  Stafeev, A. A.  Timofeev, “Focal arrays based on HgCdTe photodiodes for the 3–5- and 8–12-μm spectral regions,” Opt. Zh. 63, No. 6, 74 (1996) [J. Opt. Technol. 63, 478 (1996)].

V. V.  Vasil’ev, V. S.  Varavin, S. A.  Dvoretskiĭ, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, V. G.  Remesnik, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, “320 × 256 photodetector arrays with a built-in short-wavelength cutoff filter,” Opt. Zh. 76, No. 12, 36 (2009) [J. Opt. Technol. 76, 762 (2009)].

Phys. Status Solidi C

M. V.  Yakushev, S. A.  Dvoretsky, A. I.  Kozlov, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. V.  Sorochkin, B. I.  Fomin, A. L.  Aseev, “HgCdTe monolithic infrared detector,” Phys. Status Solidi C 7, 1681 (2010).
[CrossRef]

Prikl. Teor. Fiz.

V. S.  Varavin, A. K.  Gutakovskiĭ, S. A.  Dvoretskiĭ, V. A.  Kartashev, A. V.  Latyshev, N. N.  Mikhaĭlov, D. N.  Pridachin, V. G.  Remesnik, S. V.  Rykhlitskiĭ, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, V. P.  Titov, V. A.  Shvets, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “The status and prospects of the molecular-beam epitaxy of CdxHg1-xTe,” Prikl. Teor. Fiz. No. 6, 25 (2002).

Proc. SPIE

G. B.  Dalton, P. N.  Dennis, D. J.  Lees, D. J.  Hall, J. W.  Cairns, N. T.  Gordon, J. E.  Hails, J.  Giess, “Development of non-hybridised HgCdTe detectors for the next generation of astronomical instrumentation,” Proc. SPIE 7021, 70210I (2008).
[CrossRef]

J. W.  Cairns, L.  Buckle, G. J.  Pryce, J. E.  Hails, J.  Giess, M. A.  Crouch, D. J.  Hall, A.  Hydes, A.  Graham, A. J.  Wright, C. J.  Hollier, D. J.  Lees, N. T.  Gordon, T.  Ashl, “Integrated infrared detectors and readout circuits,” Proc. SPIE 6206, 620614 (2006).
[CrossRef]

K.  Zanio, R.  Mattson, M.  Chu, S.  Terterian, “HgCdTe on Si for monolithic focal plane arrays,” Proc. SPIE 1683, 179 (1992).
[CrossRef]

E.  Mottin, P.  Pantigny, R.  Boch, “An improved architecture of IR FPA readout circuits,” Proc. SPIE 3061, 117 (1997).
[CrossRef]

L. J.  Kozlowski, R. B.  Bailey, S. C.  Cabelli, D. E.  Cooper, G.  McComas, K.  Vural, W. E.  Tennant, “640 × 480 PACE HgCdTe FPA,” Proc. SPIE 1735, 163 (1992).
[CrossRef]

Other

D. V.  Brunev, V. S.  Varavin, V. V.  Vasil’ev, E. V.  Degtyarev, S. A.  Dvoretskiĭ, P. P.  Dobrovol’skiĭ, T. I.  Zakhar’yash, A. G.  Klimenko, A. D.  Kraĭlyuk, I. V.  Marchishin, N. N.  Mikhaĭlov, A. V.  Predein, I. V.  Sabinina, Yu. G.  Sidorov, A. O.  Suslyakov, M. V.  Yakushev, A. L.  Aseev, “Second-generation IR photodetectors based on optimized heteroepitaxial MBE HgCdTe structures,” in Abstracts of Reports of the Russian Conference on Crucial Problems of Semiconductor Photoelectronics (Photonica-2008), Novosibirsk, 2008, p. 4.

CMOS Process Technologies, X-FAB Corp., 2013, http://www.xfab.com/en/technology/cmos/ .

Angstrem, 2013, http://www.angstrem.ru/ .

Mikron, 2013, http://www.mikron.sitronics.com/products/micron/technology/ .

A.  Rogal’skiĭ, Infrared Detectors (Nauka, Novosibirsk, 2003).

Cooled IR photodetectors, SOFRADIR Group, 2013, http://www.sofradir-ec.com/products-cooled.asp

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.