Abstract

We have fabricated organic thin-film transistors (OTFTs) of top contact (TC) structures using silver electrode based on triethylsilylethynyl anthradithiophene (TES-ADT) with mobility above 0.41 ${\hbox{cm}}^{2}{\hbox{s}}^{-1}{\hbox{V}}^{-1}$, current modulation higher than ${\hbox{5}}\times {\hbox{10}}^{7}$ and sub-threshold swing below 0.65 V/dec.. The electrical characteristics of OTFTs are not only corresponding to the work function of source and drain electrodes materials but also to the surface tension and deposition energy of them. The effects of work function and surface tension dominate the electrical characteristics in bottom contact (BC) device. On the other hand, TC device is affected by deposition energy dominantly.

© 2009 IEEE

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |

  1. L. Zhou, S. Park, B. Bai, J. Sun, S.-C. Wu, T. N. Jackson, S. Nelson, D. Freeman, Y. Hong, IEEE Electron Device Lett. 26, 640-642 (2005).
  2. C. D. Sheraw, T. N. Jackson, D. L. Eaton, J. E. Anthony, Adv. Mater. 15, 2009 (2003).
  3. W. H. Lee, D. H. Kim, Y. Jang, J. H. Cho, M. Hwang, Y. D. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 132106 (2007).
  4. T. Cahyadi, J. N. Tey, S. G. Mhaisalkar, F. Boey, Appl. Phys. Lett. 90, 122112 (2007).
  5. S. H. Kim, J. H. Lee, S. C. Lim, Y. S. Yang, T. Zyung, Jan. J. Appl. Phys. 43, L60 (2004).
  6. S. C. Lim, S. H. Kim, J. H. Lee, H. Y. Yu, Y. Park, D. Kim, T. Zyung, Mat. Sci. Eng. B 121, 211 (2005).
  7. S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, Y. Aoyagi, K. Tsukagoshi, Appl. Phys. Lett. 92, 063305 (2008).
  8. K. S. Lee, T. J. Smith, K. C. Dickey, J. E. Yoo, K. J. Stevenson, Y.-L. Loo, Adv. Funct. Mater. 16, 2409 (2006).
  9. K. Shibata, K. Ishikawa, H. Takezoe, H. Wada, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 92, 023305 (2008).
  10. K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 90, 193509 (2007).
  11. B. Stadlober, U. Haas, H. Gold, A. Haase, G. Jakopic, G. Leising, N. Koch, S. Rentenberger, E. Zojer, Adv. Funct. Mater. 17, 2687 (2007).
  12. D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).
  13. P. V. Pesavento, K. P. Puntambekar, C. D. Frisbie, J. C. McKeen, P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 99, 094504 (2006).
  14. S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 91, 203508 (2007).
  15. M. M. Payne, S. A. Odom, S. R. Parkin, J. E. Anthony, Org. Lett. 6, 3325 (2004).
  16. K. C. Dickey, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, Adv. Mater. 18, 1721 (2006).
  17. W. H. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. Jang, J. A. Lim, D. Kwak, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 91, 092105 (2007).
  18. J. Chen, J. Anthony, D. C. Martin, J. Phys. Chem. B 110, 16397 (2006).
  19. V. K. Kumilov, K. B. Khokonov, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).

2008 (2)

K. Shibata, K. Ishikawa, H. Takezoe, H. Wada, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 92, 023305 (2008).

S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, Y. Aoyagi, K. Tsukagoshi, Appl. Phys. Lett. 92, 063305 (2008).

2007 (6)

S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 91, 203508 (2007).

W. H. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. Jang, J. A. Lim, D. Kwak, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 91, 092105 (2007).

K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 90, 193509 (2007).

B. Stadlober, U. Haas, H. Gold, A. Haase, G. Jakopic, G. Leising, N. Koch, S. Rentenberger, E. Zojer, Adv. Funct. Mater. 17, 2687 (2007).

W. H. Lee, D. H. Kim, Y. Jang, J. H. Cho, M. Hwang, Y. D. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 132106 (2007).

T. Cahyadi, J. N. Tey, S. G. Mhaisalkar, F. Boey, Appl. Phys. Lett. 90, 122112 (2007).

2006 (6)

D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).

P. V. Pesavento, K. P. Puntambekar, C. D. Frisbie, J. C. McKeen, P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 99, 094504 (2006).

J. Chen, J. Anthony, D. C. Martin, J. Phys. Chem. B 110, 16397 (2006).

V. K. Kumilov, K. B. Khokonov, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).

K. C. Dickey, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, Adv. Mater. 18, 1721 (2006).

K. S. Lee, T. J. Smith, K. C. Dickey, J. E. Yoo, K. J. Stevenson, Y.-L. Loo, Adv. Funct. Mater. 16, 2409 (2006).

2005 (2)

S. C. Lim, S. H. Kim, J. H. Lee, H. Y. Yu, Y. Park, D. Kim, T. Zyung, Mat. Sci. Eng. B 121, 211 (2005).

L. Zhou, S. Park, B. Bai, J. Sun, S.-C. Wu, T. N. Jackson, S. Nelson, D. Freeman, Y. Hong, IEEE Electron Device Lett. 26, 640-642 (2005).

2004 (2)

S. H. Kim, J. H. Lee, S. C. Lim, Y. S. Yang, T. Zyung, Jan. J. Appl. Phys. 43, L60 (2004).

M. M. Payne, S. A. Odom, S. R. Parkin, J. E. Anthony, Org. Lett. 6, 3325 (2004).

2003 (1)

C. D. Sheraw, T. N. Jackson, D. L. Eaton, J. E. Anthony, Adv. Mater. 15, 2009 (2003).

Adv. Funct. Mater. (2)

K. S. Lee, T. J. Smith, K. C. Dickey, J. E. Yoo, K. J. Stevenson, Y.-L. Loo, Adv. Funct. Mater. 16, 2409 (2006).

B. Stadlober, U. Haas, H. Gold, A. Haase, G. Jakopic, G. Leising, N. Koch, S. Rentenberger, E. Zojer, Adv. Funct. Mater. 17, 2687 (2007).

Adv. Mater. (2)

K. C. Dickey, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, Adv. Mater. 18, 1721 (2006).

C. D. Sheraw, T. N. Jackson, D. L. Eaton, J. E. Anthony, Adv. Mater. 15, 2009 (2003).

Appl. Phys. Lett. (7)

W. H. Lee, D. H. Kim, Y. Jang, J. H. Cho, M. Hwang, Y. D. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 132106 (2007).

T. Cahyadi, J. N. Tey, S. G. Mhaisalkar, F. Boey, Appl. Phys. Lett. 90, 122112 (2007).

K. Shibata, K. Ishikawa, H. Takezoe, H. Wada, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 92, 023305 (2008).

K. Shibata, H. Wada, K. Ishikawa, H. Takezoe, T. Mori, Appl. Phys. Lett. 90, 193509 (2007).

S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, Y. Aoyagi, K. Tsukagoshi, Appl. Phys. Lett. 92, 063305 (2008).

W. H. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. Jang, J. A. Lim, D. Kwak, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 91, 092105 (2007).

S. D. Wang, T. Minari, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 91, 203508 (2007).

IEEE Electron Device Lett. (1)

L. Zhou, S. Park, B. Bai, J. Sun, S.-C. Wu, T. N. Jackson, S. Nelson, D. Freeman, Y. Hong, IEEE Electron Device Lett. 26, 640-642 (2005).

J. Appl. Phys. (3)

D. J. Gundlach, L. Zhou, J. A. Nichols, T. N. Jackson, P. V. Necliudov, M. S. Shur, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).

P. V. Pesavento, K. P. Puntambekar, C. D. Frisbie, J. C. McKeen, P. P. Ruden, J. Appl. Phys. 99, 094504 (2006).

V. K. Kumilov, K. B. Khokonov, J. Appl. Phys. 100, 024509 (2006).

J. Phys. Chem. B (1)

J. Chen, J. Anthony, D. C. Martin, J. Phys. Chem. B 110, 16397 (2006).

Jan. J. Appl. Phys. (1)

S. H. Kim, J. H. Lee, S. C. Lim, Y. S. Yang, T. Zyung, Jan. J. Appl. Phys. 43, L60 (2004).

Mat. Sci. Eng. B (1)

S. C. Lim, S. H. Kim, J. H. Lee, H. Y. Yu, Y. Park, D. Kim, T. Zyung, Mat. Sci. Eng. B 121, 211 (2005).

Org. Lett. (1)

M. M. Payne, S. A. Odom, S. R. Parkin, J. E. Anthony, Org. Lett. 6, 3325 (2004).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.