Abstract

Different pattern structures are obtained on the AgInSbTe (AIST) phase change film as induced by laser beam. Atomic force microscopy (AFM) was used to observe and analyze the different pattern structures. The AFM photos clearly show the gradually changing process of pattern structures induced by different threshold effects, such as crystallization threshold, microbump threshold, melting threshold, and ablation threshold. The analysis indicates that the AIST material is very effective in the fabrication of pattern structures and can offer relevant guidance for application of the material in the future.

© 2011 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).
  2. C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).
  3. J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).
  4. D. B¨auerle, Laser Processing and Chemistry (3rd edn) (Springer, Berlin, 2000).
  5. F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).
  6. W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).
  7. S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).
  8. J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).
  9. N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).
  10. X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).
  11. W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).
  12. V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).
  13. H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).
  14. V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).
  15. W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).
  16. S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).
  17. J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

2010 (2)

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

2009 (4)

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

2008 (2)

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

2007 (3)

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

2004 (1)

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

2003 (1)

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

2002 (1)

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

1999 (1)

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

1968 (1)

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Botti, S.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Cai, C.

Chen, Y. C.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Chung, L. C.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Friedrich, I.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Gan, F. X.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Georgiev, D. G.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Guo, Z.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Huang, H.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Huang, J.

Jiao, X. B.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

Karpov, I. V.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Karpov, V. G.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Kryukov, Y. A.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Kuo, C. T.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Lai, E. K.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Lai, T. S

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Lee, M. H.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Liu, H.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Liu, J.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Liu, W.

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Ma, W.

Moening, J. P.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Munoz, B.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Njoroge, W. K.

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Ovshinky, S. R.

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Raoux, S.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Reining, L.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Salinga, M.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Savransky, S. D.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Shelby, R. M.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Shih, Y. H.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Steimer, C.

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

Sweet, J. J.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Thanawala, S. S.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Wang, W. H.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Wang, Y.

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Wei, J. S.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Weidenhof, V.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Welnic, W.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Woltgens, H. W.

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Wu, Y. Q.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

Wuttig, M.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Xiao, M. F.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

Zhai, F. X.

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Zhai, Y.

Ziegler, S.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Zuo, F. Y.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Appl. Phys. A (3)

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

Appl. Phys. Lett. (1)

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Chin. Opt. Lett. (2)

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

J. Appl. Phys. (3)

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

J. Vac. Sci. Technol. A (1)

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Microelectron. Eng. (1)

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Phys. Rev. Lett. (2)

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Proc. SPIE (1)

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

Surf. Coat. Technol. (1)

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Thin Solid Films (1)

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Other (1)

D. B¨auerle, Laser Processing and Chemistry (3rd edn) (Springer, Berlin, 2000).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.