Abstract

Different pattern structures are obtained on the AgInSbTe (AIST) phase change film as induced by laser beam. Atomic force microscopy (AFM) was used to observe and analyze the different pattern structures. The AFM photos clearly show the gradually changing process of pattern structures induced by different threshold effects, such as crystallization threshold, microbump threshold, melting threshold, and ablation threshold. The analysis indicates that the AIST material is very effective in the fabrication of pattern structures and can offer relevant guidance for application of the material in the future.

© 2011 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).
  2. C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).
  3. J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).
  4. D. B¨auerle, Laser Processing and Chemistry (3rd edn) (Springer, Berlin, 2000).
  5. F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).
  6. W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).
  7. S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).
  8. J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).
  9. N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).
  10. X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).
  11. W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).
  12. V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).
  13. H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).
  14. V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).
  15. W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).
  16. S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).
  17. J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

2010 (2)

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

2009 (4)

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

2008 (2)

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

2007 (3)

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

2004 (1)

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

2003 (1)

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

2002 (1)

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

1999 (1)

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

1968 (1)

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Botti, S.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Cai, C.

Chen, Y. C.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Chung, L. C.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Friedrich, I.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Gan, F. X.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Georgiev, D. G.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Guo, Z.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Huang, H.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Huang, J.

Jiao, X. B.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

Karpov, I. V.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Karpov, V. G.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Kryukov, Y. A.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Kuo, C. T.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Lai, E. K.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Lai, T. S

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Lee, M. H.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Liu, H.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Liu, J.

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Liu, W.

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

Ma, W.

Moening, J. P.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Munoz, B.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Njoroge, W. K.

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Ovshinky, S. R.

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Raoux, S.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Reining, L.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Salinga, M.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Savransky, S. D.

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Shelby, R. M.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Shih, Y. H.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Steimer, C.

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

Sweet, J. J.

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Thanawala, S. S.

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

Wang, W. H.

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Wang, Y.

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Wei, J. S.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Weidenhof, V.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Welnic, W.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

Woltgens, H. W.

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Wu, Y. Q.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

Wuttig, M.

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Xiao, M. F.

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

Zhai, F. X.

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Zhai, Y.

Ziegler, S.

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

Zuo, F. Y.

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

Appl. Phys. A (3)

J. P. Moening, S. S. Thanawala, and D. G. Georgiev, Appl. Phys. A 95, 635 (2009).

N.Wuttig and C. Steimer, Appl. Phys. A 87, 411 (2007).

X. B. Jiao, J. S. Wei, F. X. Gan, and M. F. Xiao, Appl. Phys. A 94, 627 (2009).

Appl. Phys. Lett. (1)

V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Appl. Phys. Lett. 90, 123504 (2007).

Chin. Opt. Lett. (2)

C. Cai, J. Huang, Y. Zhai, W. Ma, and W. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 210 (2010).

J. Liu, Z. Guo, W. Liu, and H. Liu, Chin. Opt. Lett. 8, (suppl.) 216 (2010).

J. Appl. Phys. (3)

J. S. Wei, X. B. Jiao, F. X. Gan, and M. F. Xiao, J. Appl. Phys. 103, 124516 (2008).

H. Huang, F. Y. Zuo, F. X. Zhai, Y. Wang, T. S Lai, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, J. Appl. Phys. 106, 063501 (2009).

V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, and M. Wuttig, J. Appl. Phys. 86, 5879 (1999).

J. Vac. Sci. Technol. A (1)

W. K. Njoroge, H. W. Woltgens, and M. Wuttig, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 230 (2002).

Microelectron. Eng. (1)

S. Raoux, R. M. Shelby, J. J. Sweet, B. Munoz, M. Salinga, Y. C. Chen, Y. H. Shih, E. K. Lai, and M. H. Lee, Microelectron. Eng. 85, 2330 (2008).

Phys. Rev. Lett. (2)

W. Welnic, S. Botti, L. Reining, and M. Wuttig, Phys. Rev. Lett. 98, 236403 (2007).

S. R. Ovshinky, Phys. Rev. Lett. 21, 1450 (1968).

Proc. SPIE (1)

F. X. Zhai, Y. Wang, Y. Q. Wu, and F. X. Gan, Proc. SPIE 7125, 71251W (2009).

Surf. Coat. Technol. (1)

W. H. Wang, L. C. Chung, and C. T. Kuo, Surf. Coat. Technol. 177-178, 795 (2004).

Thin Solid Films (1)

J. S. Wei and F. X. Gan, Thin Solid Films 441, 292 (2003).

Other (1)

D. B¨auerle, Laser Processing and Chemistry (3rd edn) (Springer, Berlin, 2000).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.