Abstract

ZnS thin films are deposited on porous silicon (PS) substrates with different porosities by pulsed laser deposition (PLD). The photoluminescence (PL) spectra of the samples are measured at room temperature. The results show that the PL intensity of PS after deposition of ZnS increases and is associated with a blue shift. With the increase of PS porosity, a green emission at about 550 nm is observed in the PL spectra of ZnS/PS systems, which may be ascribed to the defect-center luminescence of ZnS films. Junction current-voltage (I-V) characteristics were studied. The rectifying behavior of I-V characteristics indicates the formation of ZnS/PS heterojunctions, and the forward current is seen to increase when the PS porosity is increased.

© 2009 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).
  2. Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).
  3. Y. Yang, Q. Li, and X. Liu, Chin. Opt. Lett. 4, 297 (2006).
  4. P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).
  5. A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).
  6. T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).
  7. S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).
  8. S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).
  9. T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).
  10. M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).
  11. C. Wang, Q. Li, L. Lü, L. Zhang, and H. Qi, Chin. Opt. Lett. 5, 546 (2007).
  12. N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).
  13. A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

2007 (2)

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

C. Wang, Q. Li, L. Lü, L. Zhang, and H. Qi, Chin. Opt. Lett. 5, 546 (2007).

2006 (1)

2005 (1)

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

2004 (3)

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

2003 (2)

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

2002 (2)

P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

2000 (1)

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

1993 (1)

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Amlouk, M.

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

Anderson, J.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Ascencio, J. A.

S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).

Bai, T.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Bai, Y.

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

Belgacem, S.

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

Bernède, J. C.

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

Bhoraskar, S. V.

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

Fan, X. W.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Ganesan, V.

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

Gavrishchuk, E. M.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Gokarna, A.

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

Graham, W. G.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Ikonnikov, V. B.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Karetnikov, I. A.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Kim, P. S.

P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

Lan, Y.

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

Laverty, S.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Li, Q.

Liu, J.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Liu, X.

Liu, Y. C.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Liu, Y. L.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Lu, Y. M.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Lü, L.

Ma, J. G.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Maguire, P.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

McLaughlin, M.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Mo, Y.

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

Molloy, J.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Morozova, N. K.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Morrow, T.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Nasrallah, T. B.

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

Pavaskar, N. R.

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

Plotnichenko, V. G.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Qi, H.

Sakai, H.

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Sakeek, H. F.

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

Sathaye, S. D.

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

Schroeder, R.

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Sham, T. K.

P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

Shen, D. Z.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Ullrich, B.

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Velumani, S.

S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).

Wang, C.

Wang, L.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Wang, S.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Wang, W. B.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Yang, H.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Yang, Y.

Yano, S.

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Yashina, E. V.

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Ye, J.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Ye, X.

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

Zhang, J. Y.

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Zhang, L.

Zhang, P.

P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

Zhu, H.

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

Acta Opt. Sin. (in Chinese) (1)

Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

Appl. Phys. A (1)

S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).

Appl. Phys. Lett. (2)

M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

Chin. Opt. Lett. (2)

Chinese J. Lasers (in Chinese) (1)

T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

J. Appl. Phys. (2)

P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).

J. Phys. D: Appl. Phys. (1)

Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

Phys. Stat. Sol. (a) (2)

T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

Semiconductors (1)

N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.