Abstract

Nitridated beta-Ga2O3 (100) substrate was investigated as the substrate for GaN epitaxial growth. The effects of nitridation temperature and surface roughness of beta-Ga2O3 wafers on the formation of GaN were studied. It was found that the most optimized nitridation temperature was 900 centigrade, and hexagonal GaN with preferred orientation was produced on the well-polished wafer. The nitridation mechanism was also discussed.

© 2008 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).
  2. S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).
  3. J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).
  4. E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).
  5. Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).
  6. J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).
  7. N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).
  8. K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).
  9. S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).
  10. E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).
  11. Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).
  12. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
  13. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).
  14. G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).
  15. M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).
  16. H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).
  17. H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).
  18. L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solid 59, 1241 (1998).

2007 (2)

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

2006 (2)

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

2005 (2)

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

2004 (1)

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

2003 (1)

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

2001 (1)

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

2000 (1)

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

1999 (1)

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

1998 (2)

M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).

L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solid 59, 1241 (1998).

1997 (4)

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

1995 (1)

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Aoki, K.

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

Binet, 18 L.

L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solid 59, 1241 (1998).

Brandt, O.

M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).

Camassel, J.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Chen, 13 H. M.

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

Chen, C.-C.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Chen, C.-H.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Chen, H.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Chen, Y. F.

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

Cheng, 14 G. S.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Chervin, J. C.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Chia, C.-T.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Chocho, K.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Denbaars, S.-P.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Deng, M. Z.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Domen, K.

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

Fei, G. T.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Feng, M. S.

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

Filppidis, L.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Fukuda, T.

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

Ge, B. H.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Gourier, D.

L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solid 59, 1241 (1998).

Grzegory, I.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Gu, B.

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

Guo, L. W.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Hoffmann, A.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Hosono, H.

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

Ichinose, N.

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

Iwasa, N.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Jia, H. Q.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Kaczmarczyk, G.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Kawazoe, H.

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

Keller, S.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Kitamura, K.

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

Kiyoku, H.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Klimm, D.

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

Knap, W.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Kozaki, T.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Lang, 3 J.

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

Lee, M. C.

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

Li, L.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Li, X.

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

Litvinchuk, A. P.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Liu, 17 H.-L.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Mao, Y. Q.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Matsushita, T.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Mo, C. M.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Nagahama, S.-I.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Nakajima, K.

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

Nakamura, 2 S.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Ohira, 9 S.

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

Omemoto, H.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Pei, G.

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Perlin, 12 P.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Ploog, K. H.

M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).

Porowski, S.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Qin, F.

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

Qiu, K.

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

Ramsteiner, 15 M.

M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).

Reiche, P.

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

Sano, M.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Senoh, M.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Shimamura, 8 K.

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

Shimamura, K.

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

Shishido, T.

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

Siegle, 16 H.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Sugawara, T.

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

Sugimoto, Y.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Suski, T.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Taliercio, T.

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

Tamada, T.

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

Thomsen, C.

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

Tomm, 11 Y.

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

Ueda, 7 N.

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

Villora, 4 E. G.

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

Víllora, 10 E. G.

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

Víllora, E. G.

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

Wang, J.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Wang, Y.

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

Waseda, R.

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

Wu, F.

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Xia, C.

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Xing, Z. G.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Xu, J.

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Xu, Y.

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

Yan, J. F.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Yeh, C.-C.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Yin, 5 Z.

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

Yoshioka, M.

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

Yu, 1 N. S.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Yu, M.-Y.

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Yui, K.

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

Zhang, 6 J.

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Zhang, L. D.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Zhong, F.

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

Zhou, J. M.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Zhu, X. L.

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

Zhu, Y.

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Appl. Phys. Lett. (3)

N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe, Appl. Phys. Lett. 70, 3561 (1997).

P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).

G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).

Chem. Phys. Lett. (1)

H.-L. Liu, C.-C. Chen, C.-T. Chia, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, S. Keller, and S.-P. Denbaars, Chem. Phys. Lett. 345, 245 (2001).

Chin. J. Semiconductors (in Chinese) (1)

Z. Yin, F. Zhong, K. Qiu, X. Li, and Y. Wang, Chin. J. Semiconductors (in Chinese) 28, 909 (2007).

J. Alloys and Compounds (1)

N. S. Yu, L. W. Guo, H. Chen, Z. G. Xing, B. H. Ge, J. Wang, X. L. Zhu, M. Z. Deng, J. F. Yan, H. Q. Jia, and J. M. Zhou, J. Alloys and Compounds 428, 312 (2007).

J. Crystal Growth (2)

E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Crystal Growth 270, 462 (2004).

Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, and T. Fukuda, J. Crystal Growth 220, 510 (2000).

J. Phys. Chem. Solid (1)

L. Binet and D. Gourier, J. Phys. Chem. Solid 59, 1241 (1998).

J. Synthetic Crystals (in Chinese) (1)

J. Zhang, C. Xia, F. Wu, G. Pei, and J. Xu, J. Synthetic Crystals (in Chinese) 34, 676 (2005).

Jpn. J. Appl. Phys. (2)

S. Nakamura, M. Senoh, S.-I. Nagahama, N. Iwasa, T. Tamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Omemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).

K. Shimamura, E. G. Víllora, K. Domen, K. Yui, K. Aoki, and N. Ichinose, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L7 (2005).

Laser Technol. (in Chinese) (1)

J. Lang, B. Gu, Y. Xu, and F. Qin, Laser Technol. (in Chinese) 27, 321 (2003).

Phys. Rev. B (3)

M. Ramsteiner, O. Brandt, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 58, 1118 (1998).

H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filppidis, A. P. Litvinchuk, A. Hoffmann, and C. Thomsen, Phys. Rev. B 55, 7000 (1997).

H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942 (1997).

Thin Solid Films (2)

S. Ohira, M. Yoshioka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido, Thin Solid Films 496, 53 (2006).

E. G. Víllora, K. Shimamura, K. Aoki, and K. Kitamura, Thin Solid Films 500, 209 (2006).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.