Abstract

Silicon nanocone arrays with metal silicide (Fe and Cr)-enriched apexes are fabricated on Si (100) substrate by the Ar+ ion bombardment method. The nanocone arrays show excellent field emission properties. A high current density (J) of ~0.33 mA/cm2 under a field of ~3 V/\mu m, a very low turn-on field of ~1.4 V/\mu m, and a very large enhancement factor of ~9466 are also obtained. The emission J of Si nanocone arrays remains extremely stable for long periods of time (24 h).

© 2013 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).
  2. H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).
  3. A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).
  4. Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).
  5. J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).
  6. R. J. Zou, S. L. Xue, and D. Y. Li, Chin. Opt. Lett. 7, 130 (2009).
  7. W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
  8. A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).
  9. N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).
  10. F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).
  11. K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).
  12. H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).
  13. J. Zhu, Z. Chen, X. Liu, J. Mu, Y. Gao, W. Han, and G. Jia, Chin. Opt. Lett. 10, 082301 (2012).
  14. Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).
  15. F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).
  16. S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).
  17. Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).
  18. B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).
  19. J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).
  20. Y. Qiu, H. C. Hao, J. Zhou, and M. Lu, Opt. Express 20, 22087 (2012).
  21. R. H. Fowler and L. W. Nordheim, in Proceedings of the Royal Society of London-Series A: Containing Papers of a Mathematical and Physical 173 (1928).
  22. S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).
  23. H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).
  24. J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

2013 (1)

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

2012 (2)

2011 (4)

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

2010 (1)

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

2009 (1)

2006 (1)

Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).

2005 (1)

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

2004 (1)

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

2002 (5)

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

2001 (1)

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

1998 (2)

S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).

H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

1997 (1)

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

1995 (1)

W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

1990 (1)

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

Ahn, B. T.

B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

Au, F. C. K.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

Bai, X. D.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Bekkedahl, T. A.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Bello, I.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Bethune, D. S.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Chang, S.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Chang, Y. M.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Chatelain, A.

W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

Chen, J. T.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Chen, X. T.

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Chen, Z.

Cheng, G. A.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Cheng, Y.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Chiu, H. T.

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

Dai, J. F.

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Deheer, W. A.

W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

Deng, J. H.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Dillon, A. C.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Ding, S. A.

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

Facsko, S.

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

Filip, V.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Fu, B.

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Gao, B.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Gao, Y.

Gu, C. Z.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Guo, T. L.

Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).

Haga, A.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Han, B. W.

B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

Han, W.

Hao, H. C.

Heben, M. J.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Ishida, M.

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

Ishikawa, Y.

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

Jia, G.

Jones, K. M.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Juang, J. Y.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Kao, P. H.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Kiang, C. H.

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Kita, S.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Lee, C. S.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

Lee, C. Y.

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

Lee, H. Y.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Lee, J. D.

H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

Lee, J. S.

B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

Lee, S. T.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

Li, B. Q.

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

Li, D. Y.

Li, J.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Li, J. J.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Li, Q.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Lin, C. M.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Lin, Z. X.

Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).

Liu, X.

Lu, J. P.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Lu, M.

Y. Qiu, H. C. Hao, J. Zhou, and M. Lu, Opt. Express 20, 22087 (2012).

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

Lwata, K.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Ma, Y. J.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Meng, F. Y.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Mizuta, Y.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Moeller, W.

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

Mu, J.

Mu, X. W.

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Okuyama, F.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Okuyanma, F.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Park, B. G.

H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

Qiu, Q.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Qiu, Y.

Quan, B. G.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Sakai, Y.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Sawada, K.

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

Senda, S.

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

Shang, N. G.

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Shi, C. Y.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Shimoda, H.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Sugie, H.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Tabe, M.

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

Tai, H. M.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Takahashi, K.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Tanemura, M.

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

Tay, B. K.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Tsai, H. Y.

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

Ugarte, D.

W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

Uh, H. S.

H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

Wang, H. W.

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Wang, J. H.

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Wang, Q.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Wang, Z. L.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Wong, W. K.

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Wu, H. C.

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

Wu, S. L.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Xu, P.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Xu, Z. J.

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

Xue, Q. J.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Xue, S. L.

Yan, X. B.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Yang, J.

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Yang, S. H.

S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).

Yokoyama, M.

S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).

Yue, G. Z.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Yue, S. L.

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Zhang, J.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Zhao, D. D.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Zhao, F.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Zheng, R. T.

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Zhou, J.

Y. Qiu, H. C. Hao, J. Zhou, and M. Lu, Opt. Express 20, 22087 (2012).

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

Zhou, O.

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

Zhou, Y. F.

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

Zhu, J.

Zou, R. J.

ACS Appl. Mater. Interfaces (1)

H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

Adv. Mater. (1)

N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

Appl. Phys. Lett. (4)

G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Chin. Opt. Lett. (2)

Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) (1)

S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

IEEE Electron. Device Lett. (2)

H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

J. Appl. Phys. (1)

J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

J. Vac. Sci. Technol. B (1)

K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

Mater. Chem. Phys. (1)

S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).

Nanoscale Research Letters (1)

F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

Nanotechnology (1)

Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

Nature (1)

A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

Opt. Express (1)

Optoelectron. Technol. (1)

Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).

Phys. Chem. Chem. Phys. (1)

Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures (1)

J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

Science (1)

W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

Vacuum (1)

F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

Other (1)

R. H. Fowler and L. W. Nordheim, in Proceedings of the Royal Society of London-Series A: Containing Papers of a Mathematical and Physical 173 (1928).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.