Abstract

Unintentionally doped AlGaN thin films are grown on c-plane (0001) sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition, and low-temperature AlN is deposited onto sapphire substrate used as a buffer layer. AlGaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with Ni/Au interdigitated contact electrodes are then fabricated by lift-off technology. The dark current of the AlGaN photodetectors is 5.61 \times 10-9 A at 2-V applied bias and the peak response occurrs at 294 nm.

© 2013 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. X. Du, B. Chang, Y. Qian, and P. Gao, Chin. Opt. Lett. 9, 010401 (2011).
  2. T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).
  3. W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).
  4. J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).
  5. M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).
  6. D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).
  7. J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).
  8. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).
  9. I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).
  10. J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).
  11. T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).
  12. P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).
  13. M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).
  14. S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).
  15. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).
  16. A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).
  17. G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).
  18. S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).
  19. S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).
  20. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).
  21. F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).
  22. R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).
  23. X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).
  24. M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).
  25. S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).
  26. E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).
  27. Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

2011 (2)

X. Du, B. Chang, Y. Qian, and P. Gao, Chin. Opt. Lett. 9, 010401 (2011).

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

2010 (1)

J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).

2009 (1)

A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).

2008 (3)

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).

2007 (6)

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

2006 (3)

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

2005 (2)

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

2004 (2)

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

2001 (2)

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

2000 (2)

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

1999 (1)

M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).

1998 (1)

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

1997 (1)

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Ahmadi, E.

A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).

Alkeev, N. V.

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

Asgari, A.

A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).

Averine, S. V.

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

Aytur, O.

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

Biyikli, N.

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

Butun, S.

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Bykhovski, A.

M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).

C¨okkayas, M.

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Calle, F.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Calleja, E.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Campbell, J. C.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Chai, C. C.

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Chang, B.

Chang, C. A.

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chang, C. S.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Chang, P. C.

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Chang, S. J.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chen, C.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Chen, C. H.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chen, D. J.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Chen, J. F.

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chen, P. C.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Chen, W. S.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Cheng, Y. C.

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

Chi, G. C.

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chi, J. Y.

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Chiou, Y. Z.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Chuang, R. W.

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

Collins, C.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Den-Baars, S. P.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Diaz, J.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Du, X.

Duboz, J.

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

Fang, C. B.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Feng, Z. C.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Ferguson, I.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Gao, P.

Gaska, R.

M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).

Gibart, P.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Grandjean, N.

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

Hamilton, M.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Han, P.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Hansen, M.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Holmes, A. L.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Hu, G. X.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Ikeda, N.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Ishii, S.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Jia, H. J.

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Jiang, W. H.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Joseph, C.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Jr, R. F. Karlicek

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Kalafi, M.

A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).

Kambayashi, H.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Keller, S.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Kimukin, I.

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

Ko, T. K.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

Kuan, T. M.

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

Kung, P.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Kuraguchi, M.

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

Kuznetzov, P. I.

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

Lai, W. C.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Lan, W. H.

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

Lee, J.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Lee, K. F.

J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).

Lee, M. L.

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

Li, J.

J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).

Li, J. M.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Li, J. P.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Li, L.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Li, P. W.

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

Li, T.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Li, Y. J.

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Liang, S.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Lin, J. C.

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

Lin, T. K.

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Lin, Y. C.

Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Liu, H. L.

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Liu, S. S.

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

Lu, H.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Lu, Y.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Masuda, M.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Mishra, U. K.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Monroy, E.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Moran, B.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Mosca, M.

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

Munoz, E.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Nomura, T.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Omnes, F.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Omura, I.

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

Ozbay, E.

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

Parish, G.

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Pau, J. L.

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Qian, Y.

Ran, J. X.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Razeghi, M.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Reifsnider, J. M.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Reverchon, J.

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

Saito, W.

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

Saxler, A.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Shei, S. C.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Shen, C. F.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Sheu, J. K.

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Shur, M. S.

M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).

Stall, R.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Su, Y. K.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

Takada, Y.

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

Tang, J. J.

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Tran, C. A.

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

Tsuda, K.

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

Tut, T.

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Walker, D.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Wang, C. H.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Wang, C. K.

Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Wang, C. M.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

wang, H. L.

J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).

wang, J. M.

J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).

Wang, J. X.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Wang, S.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Wang, X. F.

J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).

Wang, X. L.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Wang, Z. G.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Xiao, H. L.

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

Xie, F.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Yang, B.

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

Yang, Y. T.

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Yoshida, S.

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

Yu, C. L.

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

Zhang, J. Q.

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Zhang, R.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Zhang, X.

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Zhao, M.

J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).

Zheng, Y. D.

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

Zhitov, V. A.

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

Appl. Phys. Lett. (1)

D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).

Chin. Opt. Lett. (1)

Electron. Lett. (1)

F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).

IEEE Electron. Dev. Lett. (1)

Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).

IEEE J. Quantum Electron. (1)

S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).

IEEE J. Sel. Top. Quantum (1)

M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).

IEEE Photon. Technol. Lett. (2)

N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).

C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).

IEEE Tran. Electron Dev. (2)

T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).

W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).

J. Cryst. Growth (3)

T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).

R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).

X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).

J. Phys. Chem. Solids (1)

J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).

J. Semicond. (1)

J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).

Mater. Sci. Eng. B-adv. (2)

I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).

S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).

Microelectron. J. (1)

A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).

Photon. Nanostruct. (2)

P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).

Phys. B (1)

J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).

Phys. Stat. Sol. A (1)

G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).

Phys. Stat. Solid. A (1)

E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).

Semicond. Sci. Technol. (1)

C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).

Sensor. Actuat. A-phys. (1)

S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).

Solid State Electron. (2)

S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).

M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.