Abstract

In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnOSi (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for the ZnCdSe/ZnSe QWs growth. Scanning electron microscopy (SEM) patterns showed that the ZnO buffer layer improved the smoothness of the ZnCdSe/ZnSe sample. Up to the 3rd longitudinal optical phonon of Zn0:56Cd0:44Se observed in Raman spectra suggests that the crystalquality of ZnCdSe/ZnSe QWs is reasonably good. The influence of quantum confinement effect on exciton characters of the QWs was also demonstrated.

© 2005 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
  2. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).
  3. T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).
  4. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).
  5. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
  6. B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).
  7. L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).
  8. R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).
  9. H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).
  10. W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).
  11. A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).
  12. M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).
  13. R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).
  14. L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).
  15. S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

2002 (1)

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

2000 (1)

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

1999 (1)

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

1996 (1)

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

1995 (1)

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

1991 (2)

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

1990 (1)

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

1989 (1)

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

1988 (1)

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

1986 (1)

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

1983 (1)

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

1977 (2)

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

1974 (1)

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

Alivisatos, A. P.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Bringans, R. D.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Brus, L. E.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Carroll, P. J.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Cheng, H.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Chu, Z. S.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Depuydt, J. M.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Fan, X. W.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Flytzanis, C.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Fujii, A.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Haase, M. A.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Hache, F.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Harris, T. D.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Harrison, W. A.

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

Hill, R.

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

Hino, T.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ikeda, M.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ishibashi, A.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ishizaka, A.

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

Itoh, S.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Kirk, P.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Klein, M. C.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Kondo, M.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Li, B. S.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Liu, Y. C.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Liu, Y. L.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Lozykowski, H. J.

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

Lu, Y. M.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Mel'nik, N. N.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Mishima, T.

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

Mitsuishi, A.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Mizoguchi, K.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Nakano, K.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Nakashima, S.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Nakayama, N.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Pan, S. H.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Qiu, J.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Richard, D.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Romano, L. T.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Sadof'ev, Y. G.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Shastri, V. K.

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

Shen, D. Z.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Shiraki, Y.

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

Steigerwald, M. L.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Takahashi, K.

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

Taniguchi, S.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Vodop'yanov, L. K.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Wang, R. P.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Yamaguchi, M.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Yamamoto, A.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Yoneda, K.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Yu, D. P.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhang, H. Z.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhang, J. Y.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Zhang, Z.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhou, G. W.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhou, X.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Appl. Phys. Lett. (1)

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Electron. Lett. (1)

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

J. Appl. Phys. (4)

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

J. Chem. Phys. (1)

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

J. Electrochem. Soc. (1)

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

J. Phys. C (1)

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

J. Vac. Sci. Technol. (1)

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

Jpn. J. Appl. Phys. (1)

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Phys. Rev. B (3)

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Semiconductors (1)

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.