Abstract

Ultrafast electromagnetic waves radiated from semiconductor material under high electric fields and photoexcited by femtosecond laser pulses have been recorded by using terahertz time domain spectroscopy (THz-TDS). The waveforms of these electromagnetic waves reflect the dynamics of the photoexcited carriers in the semiconductor material, thus, THz-TDS provides a unique opportunity to observe directly the temporal and spatial evolutions of non-equilibrium transport of carriers within sub-picosecond time scale. We report on the observed THz emission waveforms emitted from GaAs by using a novel technology, the time domain THz electro-optic (EO) sampling, which has a bipolar feature, i.e., an initial positive peak and a subsequent negative dip that arises from its velocity overshoot. The initial positive peak has been interpreted as electron acceleration in the bottom of Γ valley in GaAs, where electrons have a light effective mass. The subsequent negative dip has been attributed to intervalley transfer from Γ to X and L valleys. Furthermore, the power dissipation spectra of the bulk GaAs in THz range are also investigated by using the Fourier transformation of the time domain THz traces. From the power dissipation spectra, the cutoff frequency for negative power dissipation (i.e., gain) under step electric field in the bulk GaAs can also be obtained. The cutoff frequency for the gain gradually increases with increasing electric fields up to 50 kV/cm and achieves saturation at approximately 1 THz at 300 K. Furthermore, based on the temperature dependence of the cutoff frequency, we find that this cutoff frequency is governed by the energy relaxation process of electrons from L to Γ valley via successive optical phonon emission.

© 2011 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).
  2. J. B. Gunn and C. A. Hogarth, J. Appl. Phyics 26, 353 (1955).
  3. P. J. Bulman, G. S. Hobson, and B. C. Taylor, Transferred Electron Devices (Academic Press, London and New York, 1972).
  4. P. Das and R. Bharat, Appl. Phys. Lett. 11, 386 (1967).
  5. A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).
  6. R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).
  7. M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).
  8. C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).
  9. Z. Chu, J. Liu, and K. Wang, Chin. Opt. Lett. 8, 697 (2010).
  10. L. Miao, D. Zuo, and Z. Jiu, Chin. Opt. Lett. 8, 411 (2010).
  11. P. Zhou and D. Fan, Chin. Opt. Lett. 9, 051902 (2011).
  12. A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).
  13. A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).
  14. Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).
  15. Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).
  16. Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).
  17. Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).
  18. P. C. M. Planken, H. K. Nienhuys, H. J. Bakker, and T. Wenckebach, J. Opt. Soc. Am. B 18, 313 (2001).
  19. Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997).
  20. Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 1784 (1997).
  21. A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).
  22. N. Sekine and K. Hirakawa, Phys. Rev. Lett. 94, 057408 (2005).
  23. E. M. Vartianen, K.-E. Peiponen, and T. Asakura, Appl. Spectrosc. 50, 1283 (1996).
  24. E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).
  25. E. Gornov, E. M. Vartiainen, and K.-E. Peiponen, Appl. Opt. 45, 6519 (2006).
  26. M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 634 (1991).

2011 (1)

2010 (2)

2009 (1)

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

2008 (2)

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

2006 (1)

2005 (1)

N. Sekine and K. Hirakawa, Phys. Rev. Lett. 94, 057408 (2005).

2004 (1)

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

2003 (1)

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

2002 (1)

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

2001 (1)

2000 (1)

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

1999 (2)

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

1998 (1)

C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).

1997 (2)

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997).

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 1784 (1997).

1996 (2)

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

E. M. Vartianen, K.-E. Peiponen, and T. Asakura, Appl. Spectrosc. 50, 1283 (1996).

1993 (1)

R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).

1991 (1)

M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 634 (1991).

1967 (1)

P. Das and R. Bharat, Appl. Phys. Lett. 11, 386 (1967).

1961 (1)

A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).

1955 (1)

J. B. Gunn and C. A. Hogarth, J. Appl. Phyics 26, 353 (1955).

Asakura, T.

Bakker, H. J.

Benz, C.

C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).

Bharat, R.

P. Das and R. Bharat, Appl. Phys. Lett. 11, 386 (1967).

Carlstrom, J. E.

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Chao, K. A.

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

Chen, L.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Chu, Z.

Crowley, J. D.

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Das, P.

P. Das and R. Bharat, Appl. Phys. Lett. 11, 386 (1967).

Eisele, H.

R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).

Endoh, A.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Fan, D.

Fischetti, M. V.

M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 634 (1991).

Freyer, J.

C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).

Gibson, A. F.

A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).

Gornov, E.

Granville, T. W.

A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).

Gunn, J. B.

J. B. Gunn and C. A. Hogarth, J. Appl. Phyics 26, 353 (1955).

Haddad, G. I.

R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).

He, B. Y.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Hikosaka, K.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Hirakawa, K.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

N. Sekine and K. Hirakawa, Phys. Rev. Lett. 94, 057408 (2005).

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

Hiyamizu, S.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Hogarth, C. A.

J. B. Gunn and C. A. Hogarth, J. Appl. Phyics 26, 353 (1955).

Huang, Y. S.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Hunsche, S.

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

Ino, Y.

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

Jia, X. X.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Jiu, Z.

Jones, S. H.

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Kamoua, R.

R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).

Knox, W. H.

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

Kuwata-Gonokami, M.

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

Leitenstorfer, A.

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

Leitenstrofer, A.

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

Lim, B. W.

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Liu, J.

Matsui, T.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Miao, L.

Mimura, T.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Nienhuys, H. K.

Nuss, M. C.

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

Odnoblioudov, M.

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

Paige, E. G. S.

A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).

Peiponen, K.-E.

E. Gornov, E. M. Vartiainen, and K.-E. Peiponen, Appl. Opt. 45, 6519 (2006).

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

E. M. Vartianen, K.-E. Peiponen, and T. Asakura, Appl. Spectrosc. 50, 1283 (1996).

Planken, P. C. M.

Sekine, N.

N. Sekine and K. Hirakawa, Phys. Rev. Lett. 94, 057408 (2005).

Shah, J.

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

Shibata, K.

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

Shimada, Y.

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

Shimano, R.

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

Shinohara, K.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Svirko, Y. P.

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

Unuma, T.

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

Vartiainen, E. M.

E. Gornov, E. M. Vartiainen, and K.-E. Peiponen, Appl. Opt. 45, 6519 (2006).

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

Vartianen, E. M.

Wang, K.

Wenckebach, T.

Wu, Q.

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997).

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 1784 (1997).

Yamashita, Y.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

Zhang, D. W.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Zhang, X.-C.

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 1784 (1997).

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997).

Zhou, P.

Zhu, Y. M.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

Zhuang, S. L.

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Zuo, D.

Zybura, M. F.

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Acta Phys. Sin. (in Chinese) (1)

Y. M. Zhu, X. X. Jia, L. Chen, D. W. Zhang, Y. S. Huang, B. Y. He, S. L. Zhuang, and K. Hirakawa, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 2692 (2009).

Appl. Opt. (1)

Appl. Phys. Lett. (6)

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997).

Q. Wu and X.-C. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 1784 (1997).

A. Leitenstorfer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 042116 (2008).

Y. M. Zhu, T. Unuma, K. Shibata, and K. Hirakawa, Appl. Phys. Lett. 93, 232102 (2008).

P. Das and R. Bharat, Appl. Phys. Lett. 11, 386 (1967).

Appl. Spectrosc. (1)

Chin. Opt. Lett. (3)

Electron. Lett. (1)

C. Benz and J. Freyer, Electron. Lett. 34, 2351 (1998).

IEEE Electron. Dev. Lett. (1)

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 573 (2002).

IEEE Trans. Electron. Dev. (1)

M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron. Dev. 38, 634 (1991).

J. Appl. Phyics (1)

J. B. Gunn and C. A. Hogarth, J. Appl. Phyics 26, 353 (1955).

J. Appl. Phys. (1)

E. M. Vartiainen, Y. Ino, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami, Y. P. Svirko, and K.-E. Peiponen, J. Appl. Phys. 96, 4171 (2004).

J. Opt. Soc. Am. B (1)

J. Phys. Chem. Solid (1)

A. F. Gibson, T. W. Granville, and E. G. S. Paige, J. Phys. Chem. Solid 19, 198 (1961).

Phys. Rev. B. (1)

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. B. 61, 16642 (2000).

Phys. Rev. Lett. (3)

Y. Shimada, K. Hirakawa, M. Odnoblioudov, and K. A. Chao, Phys. Rev. Lett. 90, 46806 (2003).

N. Sekine and K. Hirakawa, Phys. Rev. Lett. 94, 057408 (2005).

A. Leitenstrofer, S. Hunsche, J. Shah, M. C. Nuss, and W. H. Knox, Phys. Rev. Lett. 82, 5140 (1999).

Solid State Electron. (2)

R. Kamoua, H. Eisele, and G. I. Haddad, Solid State Electron. 36, 1547 (1993).

M. F. Zybura, S. H. Jones, B. W. Lim, J. D. Crowley, and J. E. Carlstrom, Solid State Electron. 39, 547 (1996).

Other (1)

P. J. Bulman, G. S. Hobson, and B. C. Taylor, Transferred Electron Devices (Academic Press, London and New York, 1972).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.