Abstract

Asymmetric broad-waveguide separate-confinement heterostructure (BW-SCH) quantum well (QW) laser diode emitting at 808 nm is analyzed and designed theoretically. The dependence of the optical field distribution, vertical far-field angle, and internal loss on different thicknesses of the upper waveguide layer is calculated and analyzed. Calculated results show that when the thicknesses of the lower and upper waveguide layers are 0.45 and 0.3 \mu m, respectively, for the devices with 100-\mu m-wide stripe and 1000-\mu m-long cavity, an output power of 7.6 W at 8 A, a vertical far-field angle of 37°, a slope efficiency of 1.32 W/A, and a threshold current of 189 mA can be obtained.

© 2010 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).
  2. R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).
  3. G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).
  4. J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).
  5. F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).
  6. A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).
  7. J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).
  8. M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).
  9. K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).
  10. J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).
  11. V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).
  12. N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).
  13. L. Lin, G. Liu, Z. Li, M. Li, X. Wang, H. Li, and H. Tan, Chin. Opt. Lett. 6, 268 (2008).
  14. P. Li, L. Wang, S. Li, W. Xia, W. Zhang, Q. Tang, Z. Ren, and X. Xu, Chin. Opt. Lett. 7, 489 (2009).

2009 (1)

2008 (2)

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

L. Lin, G. Liu, Z. Li, M. Li, X. Wang, H. Li, and H. Tan, Chin. Opt. Lett. 6, 268 (2008).

2007 (1)

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

2006 (2)

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

2005 (1)

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

2004 (2)

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

2003 (1)

J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

2002 (2)

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

1999 (1)

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

1998 (1)

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

Acket, G. A.

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Alferov, Z. I.

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Bezotosnyi, V. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Bo, B.

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Botez, D.

J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

Buda, M.

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Chann, B.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Deng, J.

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Dittmar, F.

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

Donnelly, J. P.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Erbert, G.

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Es, C. M. van

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Fan, T. Y.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Fang, G.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Feng, X.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Fetisova, N. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Fricke, J.

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

Goyal, A. K.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Han, J.

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Harris, H. T.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Huang, R. K.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Iordache, G.

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Jiang, H.

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Kapitonov, V. A.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Kawasaki, K.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Knauer, A.

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Krokhin, O. N.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Lan, Y.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Lee, J. J.

J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

Leshko, A. Yu.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Li, H.

Li, J.

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Li, M.

Li, P.

Li, S.

Li, Z.

Lin, L.

Liu, B.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Liu, C.

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Liu, G.

L. Lin, G. Liu, Z. Li, M. Li, X. Wang, H. Li, and H. Tan, Chin. Opt. Lett. 6, 268 (2008).

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Liu, Y.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Lyutetskii, A. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Ma, X.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Mawst, L. J.

J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

Missaggia, L. J.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Morris, J. A.

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

Murashova, A. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Nalet, T. A.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Nikolaev, D. N.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Omura, E.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Pikhtin, N. A.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Popov, Yu. M.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Qu, Y.

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Ren, Z.

Roer, T. G. van der

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Roy, B. H. van

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Sanchez-Rubio, A.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Shamakhov, V. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Shen, G.

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Shigihara, K.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Slipchenko, S. O.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Smalbrugge, E.

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Sokolova, Z. N.

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Stankevich, A. L.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Staske, R.

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Sumpf, B.

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Tan, H.

Tan, M.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Tang, Q.

Tarasov, I. S.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Trankle, G.

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

Turner, G. W.

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

Vasil'eva, V. V.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Vinokurov, D. A.

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

Vleuten, W. C. van der

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Wade, J. K.

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

Wang, L.

Wang, X.

L. Lin, G. Liu, Z. Li, M. Li, X. Wang, H. Li, and H. Tan, Chin. Opt. Lett. 6, 268 (2008).

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Wenzel, H.

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Weyers, M.

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Xia, W.

Xiao, J.

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Xu, X.

Yagi, T.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Yamamura, S.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Yoshida, Y.

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

Yuan, S.

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

Zhang, W.

Zou, D.

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Chin. J. Semicond. (in Chinese) (1)

G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

Chin. Opt. Lett. (2)

Chinese J. Lasers (in Chinese) (1)

J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

Electron. Lett. (2)

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

IEEE J. Quantum Electron. (1)

K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

IEEE Photon. Technol. Lett. (4)

F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

J. Cryst. Growth (1)

J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

Semicond. Sci. Technol. (1)

A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

Semiconductors (1)

V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.