Abstract

A new approach to reduce the reverse current of Ge pin photodiodes on Si is presented, in which an i-Si layer is inserted between Ge and top Si layers to reduce the electric field in the Ge layer. Without post-growth annealing, the reverse current density is reduced to ~10 mA/cm2 at -1 V, i.e., over one order of magnitude lower than that of the reference photodiode without i-Si layer. However, the responsivity of the photodiodes is not severely compromised. This lowered-reverse-current is explained by band-pinning at the i-Si/i-Ge interface. Barrier lowering mechanism induced by E-field is also discussed. The presented "non-thermal" approach to reduce reverse current should accelerate electronics-photonics convergence by using Ge on the Si complementary metal oxide semiconductor (CMOS) platform.

© 2009 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, D. D. Cannon, D. T. Danielson, D. H. Ahn, S. Akiyama, M. Popovic, D. R. Lim, K. K. Lee, H.-C. Luan, Y. Ishikawa, J. Michel, H. A. Haus, and L. C. Kimerling, "Si microphotonics for optical interconnection" in Optical Interconnects L. Pavesi and L. Guillot (eds.) (Springer, Berlin, 2006) Chap.11, pp.291-310.
  2. M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).
  3. L. Vivien, M. Rouvière, J.-M. Fédéli, D. Marris-Morini, J. F. Damlencourt, J. Mangeney, P. Crozat, L. El Melhaoui, E. Cassan, X. Le Roux, D. Pascal, and S. Laval, Opt. Express 15, 9843 (2007).
  4. D. Ahn, C.-Y. Hong, J. Liu, W. Giziewicz, M. Beals, L. C. Kimerling, J. Michel, J. Chen, and F. X. Kartner, Opt. Express 15, 3916 (2007).
  5. L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).
  6. H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).
  7. J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).
  8. T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).
  9. Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).
  10. G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).
  11. H.-D. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 762 (2000).
  12. G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).
  13. A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).
  14. S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).
  15. L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).
  16. W. G. Oldham and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 7, 153 (1964).
  17. G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

2007 (2)

2006 (2)

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

2005 (1)

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

2004 (1)

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

2002 (1)

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

2001 (3)

A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

2000 (2)

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

H.-D. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 762 (2000).

1999 (1)

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

1992 (1)

G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).

1979 (1)

G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).

1964 (1)

W. G. Oldham and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 7, 153 (1964).

Agarwal, A. M.

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

Ahn, D.

Antoniadis, D. A.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Assanto, G.

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

Balbi, M.

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

Banerjee, S. K.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Barnett, B. C.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Beals, M.

Beck, A. L.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Block, B. A.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Bois, D.

G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).

Cadien, K.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Calace, L.

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

Campbell, J. C.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Cannon, D. D.

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Cassan, E.

Chantre, A.

G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).

Chen, J.

Chen, K. M.

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Claeys, C.

A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).

Colace, L.

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

Crozat, P.

Currie, M. T.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Damlencourt, J. F.

Danielson, D. T.

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Duan, N.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Famà, S.

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

Fédéli, J.-M.

Fitzgerald, E. A.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Giovane, L. M.

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

Giziewicz, W.

Guo, X.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Hong, C.-Y.

Huang, Z.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Hurkx, G. A. M.

G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).

Ishikawa, Y.

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Jongthammanurak, S.

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Kartner, F. X.

Kimerling, L. C.

D. Ahn, C.-Y. Hong, J. Liu, W. Giziewicz, M. Beals, L. C. Kimerling, J. Michel, J. Chen, and F. X. Kartner, Opt. Express 15, 3916 (2007).

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Klaassen, D. B. M.

G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).

Knuvers, M. P. G.

G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).

Kobinsky, M. J.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Kong, N.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Langdo, T. A.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Laval, S.

Lee, H.-D.

H.-D. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 762 (2000).

Lee, K. K.

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Leitz, C. W.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Lim, D. R.

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

List, S.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Liu, J.

D. Ahn, C.-Y. Hong, J. Liu, W. Giziewicz, M. Beals, L. C. Kimerling, J. Michel, J. Chen, and F. X. Kartner, Opt. Express 15, 3916 (2007).

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Liu, M.

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

Lochtefeld, A.

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

Luan, H.-C.

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Mangeney, J.

Marris-Morini, D.

Masini, G.

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

Melhaoui, L. El

Michel, J.

D. Ahn, C.-Y. Hong, J. Liu, W. Giziewicz, M. Beals, L. C. Kimerling, J. Michel, J. Chen, and F. X. Kartner, Opt. Express 15, 3916 (2007).

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

Milnes, A. G.

W. G. Oldham and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 7, 153 (1964).

Mohammed, E.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Oldham, W. G.

W. G. Oldham and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 7, 153 (1964).

Pascal, D.

Poyai, A.

A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).

Reshotko, M.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Robertson, F.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Rouvière, M.

Roux, X. Le

Sandland, J. G.

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Simoen, E.

A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).

Vincent, G.

G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).

Vivien, L.

Wada, K.

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

Young, I.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Zheng, J.-F.

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

Appl. Phys. Lett. (6)

L. M. Giovane, H.-C. Luan, A. M. Agarwal, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 78, 541 (2001).

H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).

J. Liu, D. D. Cannon, K. Wada, Y. Ishikawa, S. Jongthammanurak, D. T. Danielson, J. Michel, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 87, 011110 (2005).

T. A. Langdo, C. W. Leitz, M. T. Currie, E. A. Fitzgerald, A. Lochtefeld, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 76, 3700 (2000).

S. Famà, L. Colace, G. Masini, G. Assanto, and H.-C. Luan, Appl. Phys. Lett. 81, 586 (2002).

L. Colace, M. Balbi, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 88, 101111 (2006).

IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. (1)

Z. Huang, N. Kong, X. Guo, M. Liu, N. Duan, A. L. Beck, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1450 (2006).

IEEE Trans. Electron Devices (4)

H.-D. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 47, 762 (2000).

G. A. M. Hurkx, D. B. M. Klaassen, and M. P. G. Knuvers, IEEE Trans. Electron Devices 39, 331 (1992).

A. Poyai, E. Simoen, and C. Claeys, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2445 (2001).

G. Masini, L. Calace, G. Assanto, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1092 (2001).

Intel Technol. J. (1)

M. J. Kobinsky, B. A. Block, J.-F. Zheng, B. C. Barnett, E. Mohammed, M. Reshotko, F. Robertson, S. List, I. Young, and K. Cadien, Intel Technol. J. 8, 129 (2004).

J. Appl. Phys. (1)

G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).

Opt. Express (2)

Solid-State Electron. (1)

W. G. Oldham and A. G. Milnes, Solid-State Electron. 7, 153 (1964).

Other (1)

K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, D. D. Cannon, D. T. Danielson, D. H. Ahn, S. Akiyama, M. Popovic, D. R. Lim, K. K. Lee, H.-C. Luan, Y. Ishikawa, J. Michel, H. A. Haus, and L. C. Kimerling, "Si microphotonics for optical interconnection" in Optical Interconnects L. Pavesi and L. Guillot (eds.) (Springer, Berlin, 2006) Chap.11, pp.291-310.

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.