Abstract

Electroluminescence peaking at 1.3 \mum is observed from high concentration boron-diffused silicon p+-n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emission around 1.1 \mum, but disappears at room temperature. The 1.3-\mum band possibly originates from the dislocation networks lying near the junction region, which are introduced by high concentration boron diffusion.

© 2009 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. P. Ball, Nature 409, 974 (2001).
  2. T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).
  3. M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).
  4. M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).
  5. W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).
  6. M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).
  7. J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).
  8. J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).
  9. M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).
  10. N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).
  11. V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).
  12. A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).
  13. T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).
  14. T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).
  15. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (3rd edn.) (Springer, Berlin, 2001).
  16. T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).
  17. H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32, 1776 (1961).
  18. S. Prussin, J. Appl. Phys. 32, 1876 (1961).
  19. G. H. Schwuttke and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 33, 1540 (1962).
  20. J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).
  21. R. J. Jaccodine, Appl. Phys. Lett. 4, 114 (1964).
  22. M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).
  23. J. Bao, M. Tabbal, T. Kim, S. Charnvanichborikarn, J. S. Williams, M. J. Aziz, and F. Capasso, Opt. Express 15, 6727 (2007).

2007

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

J. Bao, M. Tabbal, T. Kim, S. Charnvanichborikarn, J. S. Williams, M. J. Aziz, and F. Capasso, Opt. Express 15, 6727 (2007).

2006

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

2004

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

2003

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

2001

P. Ball, Nature 409, 974 (2001).

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

1977

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

1964

R. J. Jaccodine, Appl. Phys. Lett. 4, 114 (1964).

1963

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

1962

G. H. Schwuttke and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 33, 1540 (1962).

1961

H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32, 1776 (1961).

S. Prussin, J. Appl. Phys. 32, 1876 (1961).

Arguirov, T.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Aziz, M. J.

Badylevich, M.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Ball, P.

P. Ball, Nature 409, 974 (2001).

Bao, J.

Bresler, M. S.

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

Buck, T. M.

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

Capasso, F.

Charnvanichborikarn, S.

Corkish, R.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

Dekorsy, T.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

Emel'yanov, A. M.

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

Fritzsche, W.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Gal, M.

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

Green, M. A.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

Gusev, O. B.

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

Gwilliam, R. M.

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Helm, M.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

Hoang, T.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

Holleman, J.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

Homewood, K. P.

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Ikuta, S.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

Izotov, A.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Jaccodine, R. J.

R. J. Jaccodine, Appl. Phys. Lett. 4, 114 (1964).

Kim, T.

Kittler, M.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Kveder, V.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Lander, J. J.

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

Ledain, S.

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

LeMinh, P.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

Lourenco, M. A.

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Masuda, H.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

Mathews, J. R.

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

Mchedlidze, T.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Mel'nikova, T. M.

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

Milosavljevic, M.

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

Mücklich, A.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

Ng, W. L.

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Nikolaev, Yu. A.

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

Prussin, S.

S. Prussin, J. Appl. Phys. 32, 1876 (1961).

Queisser, H. J.

G. H. Schwuttke and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 33, 1540 (1962).

H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32, 1776 (1961).

Reece, P. J.

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

Reiche, M.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Schmidt, B.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

Schmitz, J.

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

Schreiber, H.

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

Schroter, W.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Schwuttke, G. H.

G. H. Schwuttke and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 33, 1540 (1962).

Seibt, M.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Seifert, W.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Shao, G.

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Shek, E. I.

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

Skorupa, W.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

Sobolev, N. A.

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

Steinman, E.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

Sun, J. M.

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

Tabbal, M.

Takeda, M.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

Trupke, T.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

Vdovin, V. I.

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

Vyvenko, O. F.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Wada, T.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

Wang, A.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

Wilhelm, T.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Williams, J. S.

Wolff, O. Vob A.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Yassievich, I. N.

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

Yasuda, K.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

Yu, X.

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Zakharchenya, B. P.

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

Zhao, J.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

Appl. Phys. Lett.

T. Trupke, J. Zhao, A. Wang, R. Corkish, and M. A. Green, Appl. Phys. Lett. 82, 2996 (2003).

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, and M. Helm, Appl. Phys. Lett. 83, 3885 (2003).

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, and W. Schroter, Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

J. J. Lander, H. Schreiber, Jr., T. M. Buck, and J. R. Mathews, Appl. Phys. Lett. 3, 206 (1963).

R. J. Jaccodine, Appl. Phys. Lett. 4, 114 (1964).

IEEE Electron Device Lett.

T. Hoang, P. LeMinh, J. Holleman, and J. Schmitz, IEEE Electron Device Lett. 27, 105 (2006).

IEEE Trans. Electron Devices

T. Hoang, J. Holleman, P. LeMinh, J. Schmitz, T. Mchedlidze, T. Arguirov, and M. Kittler, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1860 (2007).

J. Appl. Phys.

T. Wada, K. Yasuda, S. Ikuta, M. Takeda, and H. Masuda, J. Appl. Phys. 48, 2145 (1977).

H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 32, 1776 (1961).

S. Prussin, J. Appl. Phys. 32, 1876 (1961).

G. H. Schwuttke and H. J. Queisser, J. Appl. Phys. 33, 1540 (1962).

Nature

P. Ball, Nature 409, 974 (2001).

M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

Opt. Express

Phys. B

N. A. Sobolev, A. M. Emel'yanov, E. I. Shek, and V. I. Vdovin, Phys. B 340-342, 1031 (2003).

Phys. Rev. B

J. M. Sun, T. Dekorsy, W. Skorupa, B. Schmidt, A. Mücklich, and M. Helm, Phys. Rev. B 70, 155316 (2004).

Phys. Sol. State

M. S. Bresler, O. B. Gusev, B. P. Zakharchenya, and I. N. Yassievich, Phys. Sol. State 46, 5 (2004).

Phys. Stat. Sol. (a)

M. Kittler, M. Reiche, T. Arguirov, W. Seifert, and X. Yu, Phys. Stat. Sol. (a) 203, 802 (2006).

Semiconductors

A. M. Emel'yanov, Yu. A. Nikolaev, N. A. Sobolev, and T. M. Mel'nikova, Semiconductors 38, 610 (2004).

Small

M. Kittler, X. Yu, T. Mchedlidze, T. Arguirov, O. F. Vyvenko, W. Seifert, M. Reiche, T. Wilhelm, M. Seibt, O. Vob A. Wolff, and W. Fritzsche, Small 3, 964 (2007).

Thin Solid Films

M. A. Lourenco, M. Milosavljevic, G. Shao, R. M. Gwilliam, and K. P. Homewood, Thin Solid Films 504, 36 (2006).

Other

P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (3rd edn.) (Springer, Berlin, 2001).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.