Abstract

High-temperature annealing and pre-annealing lift-off procedures are employed to improve the solution processible technique for the fabrication of one- (1D) and two-dimensional (2D) metallic photonic crystals (MPCs) based on colloidal gold nanoparticles. This enables the successful fabrication of gold nanowires or nanocylinder array structures with the photoresist template removed completely, which is crucial for the application of MPCs in biosensors and optoelectronic devices. Microscopic measurements show homogeneous 1D and 2D photonic structures with an area as large as 100 mm2. Plasmonic resonance of the gold nanostructures and its coupling with the resonance mode of the planar waveguide underneath the photonic structures are observed, implying the excellent optical properties of this kind of MPCs based on the improved fabrication technique.

© 2009 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).
  2. X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).
  3. X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).
  4. J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).
  5. J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).
  6. C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).
  7. H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).
  8. G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).
  9. B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).
  10. S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).
  11. J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).
  12. S. Reyntjens and R. J. Puers, Micromech. Microeng. 10, 181 (2000).
  13. M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).
  14. X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).
  15. X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).
  16. H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).
  17. M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).
  18. A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).
  19. S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).
  20. D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).
  21. S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

2008

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

2007

J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

2006

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

2005

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

2003

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

2002

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

2001

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

2000

S. Reyntjens and R. J. Puers, Micromech. Microeng. 10, 181 (2000).

1998

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

1997

D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).

Andreani, C.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Businaro, L.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Cabrini, S.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Candeloro, P.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Carpentiero, A.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Chen, H. L.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

Cheng, H. C.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

Chin, C.

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

Christ, A.

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

Chu, T. C.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

Chuang, S. Y.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

Clark, M. R.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

DeVittorio, M.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

DiFabrizio, E.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Duyne, R. P. Van

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

Evans, N. D.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Friend, R. H.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

Friesem, A. A.

D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).

Fujita, J.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Giessen, H.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

Gippius, N. A.

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Glish, G. L.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Gosparini, A.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Green, S. J.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Guo, H. C.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Guo, L. J.

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

Harris, J. E.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Haynes, C. L.

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

Hodgkiss, J. M.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

Hogle, J. M.

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

Hostetler, M. J.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Huang, W.

J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).

Ichihashi, T.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Ishida, M.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Ishihara, T.

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Ji, J.

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

Kaito, T.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Kim, J. S.

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

Komuro, M. J.

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

Kuhl, J.

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

Kumar, R.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Larson, D. N.

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

Lin, C. H.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

Linden, S.

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

Liu, H. M.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

Liu, Z.

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Londono, J. D.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Lucas, B. D.

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

Matsui, S. J.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

McFarland, A. D.

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

Miyamoto, I.

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

Mostafa, A. E.

J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).

Muljarov, E. A.

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Murray, R.W.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Nau, D.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Ochiai, Y.

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Ohno, N.

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

Porter, M. D.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Prasciolu, M.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Prashant, J. K.

J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).

Puers, R. J.

S. Reyntjens and R. J. Puers, Micromech. Microeng. 10, 181 (2000).

Radke, A.

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Reyntjens, S.

S. Reyntjens and R. J. Puers, Micromech. Microeng. 10, 181 (2000).

Rosenblatt, D.

D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).

Schatz, G. C.

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

Shao, H.

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Sharon, A.

D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).

Song, J. Y.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

Song, Y. R.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

Stodolka, J.

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Stokes, J. J.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Stomeo, T.

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Sun, B. Q.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

Takeda, S.

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

Taniguchi, J.

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

Tetreault, N.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

Tian, J. R.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

Tikhodeev, S. G.

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Vachet, R. W.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Wang, L.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

Wignall, G. D.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Wingate, J. E.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Xie, G.

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Yablonskii, A. L.

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Yang, J. C.

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

Yang, X. L.

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Zhang, G.

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Zhang, G. Z.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

Zhang, J.

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Zhang, X. P.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

Zhao, L. L.

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

Zhong, C. J.

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Adv. Mater.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, J. M. Hodgkiss, and R. H. Friend, Adv. Mater. 20, 4455 (2008).

B. D. Lucas, J. S. Kim, C. Chin, and L. J. Guo, Adv. Mater. 20, 1129 (2008).

Appl. Phys. B

H. C. Guo, D. Nau, A. Radke, X. P. Zhang, J. Stodolka, X. L. Yang, S. G. Tikhodeev, and N. A. Gippius, Appl. Phys. B 81, 217 (2005).

S. Linden, A. Christ, J. Kuhl, and H. Giessen, Appl. Phys. B 73, 311 (2001).

Appl. Phys. Lett.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, N. Tetreault, H. Giessen, and R. H. Friend, Appl. Phys. Lett. 90, 133114 (2007).

IEEE J. Quantum Electron.

D. Rosenblatt, A. Sharon, and A. A. Friesem, IEEE J. Quantum Electron. 33, 2038 (1997).

J. Phys. Chem. B

C. L. Haynes, A. D. McFarland, L. L. Zhao, R. P. Van Duyne, and G. C. Schatz, J. Phys. Chem. B 107, 7337 (2003).

J. Vac. Sci. Technol. B

J. Taniguchi, N. Ohno, S. Takeda, I. Miyamoto, and M. J. Komuro, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2506 (1998).

M. Ishida, J. Fujita, T. Ichihashi, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. J. Matsui, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2728 (2003).

Langmuir

M. J. Hostetler, J. E. Wingate, C. J. Zhong, J. E. Harris, R. W. Vachet, M. R. Clark, J. D. Londono, S. J. Green, J. J. Stokes, G. D. Wignall, G. L. Glish, M. D. Porter, N. D. Evans, and R.W. Murray, Langmuir 14, 17 (1998).

Microelectron. Eng.

H. L. Chen, S. Y. Chuang, H. C. Cheng, C. H. Lin, and T. C. Chu, Microelectron. Eng. 83, 893 (2006).

S. Cabrini, A. Carpentiero, R. Kumar, L. Businaro, P. Candeloro, M. Prasciolu, A. Gosparini, C. Andreani, M. DeVittorio, T. Stomeo, and E. DiFabrizio, Microelectron. Eng. 11, 78 (2005).

Micromech. Microeng.

S. Reyntjens and R. J. Puers, Micromech. Microeng. 10, 181 (2000).

Nano Lett.

X. P. Zhang, B. Q. Sun, R. H. Friend, H. C. Guo, D. Nau, and H. Giessen, Nano Lett. 6, 651 (2006).

J. C. Yang, J. Ji, J. M. Hogle, and D. N. Larson, Nano Lett. 8, 2718 (2008).

J. K. Prashant, W. Huang, and A. E. Mostafa, Nano Lett. 7, 2080 (2007).

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, J. Y. Song, and L. Wang, Nano Lett. 8, 2653 (2008).

Nanotechnol.

X. P. Zhang, H. M. Liu, J. R. Tian, Y. R. Song, L. Wang, J. Y. Song, and G. Z. Zhang, Nanotechnol. 19, 285202 (2008).

Phys. Rev. B

S. G. Tikhodeev, A. L. Yablonskii, E. A. Muljarov, N. A. Gippius, and T. Ishihara, Phys. Rev. B 66, 045102 (2002).

Phys. Rev. Lett.

A. Christ, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, J. Kuhl, and H. Giessen, Phys. Rev. Lett. 91, 183901 (2003).

Small

G. Zhang, J. Zhang, G. Xie, Z. Liu, and H. Shao, Small 2, 1440 (2006).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.

Alert me when this article is cited.