Abstract

In this paper, the growth and characteristics of ZnCdSe/ZnSe quantum wells (QWs) prepared on ZnOSi (111) templates are reported. An oriented ZnO thin film with a smooth surface was employed to be the buffer layer for the ZnCdSe/ZnSe QWs growth. Scanning electron microscopy (SEM) patterns showed that the ZnO buffer layer improved the smoothness of the ZnCdSe/ZnSe sample. Up to the 3rd longitudinal optical phonon of Zn0:56Cd0:44Se observed in Raman spectra suggests that the crystalquality of ZnCdSe/ZnSe QWs is reasonably good. The influence of quantum confinement effect on exciton characters of the QWs was also demonstrated.

© 2005 Chinese Optics Letters

PDF Article

References

  • View by:
  • |
  • |
  • |

  1. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
  2. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).
  3. T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).
  4. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).
  5. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
  6. B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).
  7. L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).
  8. R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).
  9. H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).
  10. W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).
  11. A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).
  12. M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).
  13. R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).
  14. L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).
  15. S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

2002 (1)

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

2000 (1)

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

1999 (1)

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

1996 (1)

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

1995 (1)

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

1991 (2)

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

1990 (1)

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

1989 (1)

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

1988 (1)

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

1986 (1)

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

1983 (1)

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

1977 (2)

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

1974 (1)

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

Alivisatos, A. P.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Bringans, R. D.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Brus, L. E.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Carroll, P. J.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Cheng, H.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Chu, Z. S.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Depuydt, J. M.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Fan, X. W.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Flytzanis, C.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Fujii, A.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Haase, M. A.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Hache, F.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Harris, T. D.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Harrison, W. A.

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

Hill, R.

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

Hino, T.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ikeda, M.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ishibashi, A.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Ishizaka, A.

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

Itoh, S.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Kirk, P.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Klein, M. C.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Kondo, M.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Li, B. S.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Liu, Y. C.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Liu, Y. L.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Lozykowski, H. J.

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

Lu, Y. M.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Mel'nik, N. N.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Mishima, T.

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

Mitsuishi, A.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Mizoguchi, K.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Nakano, K.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Nakashima, S.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Nakayama, N.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Pan, S. H.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Qiu, J.

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Richard, D.

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

Romano, L. T.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Sadof'ev, Y. G.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Shastri, V. K.

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

Shen, D. Z.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Shiraki, Y.

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

Steigerwald, M. L.

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

Takahashi, K.

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

Taniguchi, S.

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

Vodop'yanov, L. K.

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Wang, R. P.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Yamaguchi, M.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Yamamoto, A.

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

Yoneda, K.

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Yu, D. P.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhang, H. Z.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhang, J. Y.

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

Zhang, Z.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhou, G. W.

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

Zhou, X.

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Appl. Phys. Lett. (1)

M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).

Electron. Lett. (1)

S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).

J. Appl. Phys. (4)

T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).

M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).

B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).

H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).

J. Chem. Phys. (1)

A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).

J. Electrochem. Soc. (1)

A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).

J. Phys. C (1)

R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).

J. Vac. Sci. Technol. (1)

W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).

Jpn. J. Appl. Phys. (1)

S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).

Phys. Rev. B (3)

M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).

R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).

L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).

Semiconductors (1)

L. K. Vodop'yanov, N. N. Mel'nik, and Y. G. Sadof'ev, Semiconductors 33, 286 (1999).

Cited By

OSA participates in CrossRef's Cited-By Linking service. Citing articles from OSA journals and other participating publishers are listed here.